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ECPE European Center for Power Electronics e.V.

Galliumnitrid-Transistoren für 1200 V

Auslaufmodell Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des Jahrzehnts durch Galliumnitrid ersetzt. Diese These vertreten immer mehr Experten in der Leistungselektronik. Wir fragten bei Industrievertretern, Forschern und Analysten nach.

PCIM Europe 2023

Nachhaltigkeit in der Leistungselektronik

Mit einer Rekordausstellungsfläche von über 30.000 m2 und über 500 Ausstellern wartet...

ECPE-Positionspapier

Leistungselektronik als Schlüssel zur All-Electric Society

Als Schlüsseltechnologie für Energieeffizienz und Nachhaltigkeit wird die...

Prof. Leo Lorenz im Interview

Faszination Leistungselektronik

Seit Ende der 1970er-Jahre hat Leo Lorenz maßgeblich am MOSFET, am IGBT, am CoolMOS und...

Prof. Leo Lorenz, ECPE

»China wird das eigene Ziel nicht erreichen«

Bis 2035 will China 35 Prozent aller Halbleiter selbst entwickeln, fertigen und...

Interview mit Prof. Leo Lorenz, PCIM

Von neuen Wegen bei Siliziumkarbid bis zum European Chips Act

Vom 10. bis 12. Mai 2022 treffen sich die Experten der Leistungselektronik auf der PCIM...

Der European Chips Act

Reicht das für die Halbleiter-Champions-League?

Um ihre geopolitische Stellung zu festigen und ihre Bedeutung als Fertigungsstandort...

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von...

Interview mit Prof. Leo Lorenz

Bei der PCIM rücken Batterien in den Fokus

Auch wenn dieses Jahr die PCIM Europe nur als Online-Event stattfindet, wollen wir...