Marktanalyse von TrendForce

Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron

19. Oktober 2021, 12:00 Uhr | Ralf Higgelke
Pixabay
© Arek Socha/Pixabay

GaN-Leistungsbausteine sind nach Einschätzung der Marktforscher von TrendForce die am schnellsten wachsende Sparte in der Halbleiterindustrie. Die Marktführerschaft dürfte Power Integrations in diesem Jahr an Navitas verlieren, dicht gefolgt vom chinesischen Unternehmen Innoscience.

Diesen Artikel anhören

Die Nachfrage nach Schnellladegeräten für diverse Konsumgüter steigt rasant. So führten Smartphone-Marken wie Xiaomi, Oppo und Vivo im Jahr 2018 Schnellladegeräte ein, die aufgrund der niedrigeren Verlustleistungen und der kompakteren Abmessungen von den Verbrauchern positiv aufgenommen wurden. Derzeit signalisieren auch die Hersteller von Notebooks ihre Bereitschaft, die Schnellladetechnologie einzuführen.

Daher ist das Segment der GaN-Leistungsbausteine die am schnellsten wachsende Sparte in der Halbleiterindustrie. TrendForce geht davon aus, dass der Jahresumsatz mit GaN-Leistungsbausteinen im Jahr 2021 einen Wert von 83 Mio. US-Dollar erreichen wird – ein Zuwachs von 73 Prozent im Vergleich zum Vorjahr.

Auf der Rangliste der Anbieter dürfte in diesem Jahr Navitas einen Marktanteil von 29 Prozent (gemessen an den Gesamtliefermengen) erreichen und damit Power Integration von der Spitze verdrängen. Dank des proprietären GaNFast-Power-IC-Designs und der guten Beziehungen zu seinen Partnern in der Lieferkette für Halbleiter hat sich Navitas zum größten Anbieter von GaN-Power-IC-Chips auf dem Markt für Unterhaltungselektronik entwickelt. Aktuell arbeitet das Unternehmen mit weltweit führenden Smartphone- und PC-OEMs zusammen, darunter Dell, Lenovo, LG, Xiaomi und Oppo.

UnternehmenUmsatzanteil 2020 in ProzentUmsatzanteil 2021 in Prozent (geschätzt)
Navitas2629
Power Integrations2724
Innoscience620
Efficient Power Conversion EPC2114
Transphorm86
Infineon53
GaN Systems63
andere11

Tabelle: Umsatzanteile bei GaN-Leistungshalbleitern (Quelle: Trendforce; September 2021)

Angesichts der steigenden Kundennachfrage nach Schnelllade-ICs in diesem Jahr dürfte von Navitas ihre Chip-Bestellungen im zweiten Halbjahr 21 von TSMCs Fab 2, einer 6-Zoll-Wafer-Fab, auf andere 8-Zoll-Fabs verlagern, um die Schwierigkeit der unzureichenden Produktionskapazität zu lösen. Gleichzeitig hat Navitas auch SAIC (Xiamen Sanan) als potenziellen Lieferanten von Foundry-Dienstleistungen in Betracht gezogen. Was neue Märkte für GaN-Anwendungen angeht, so dürfte Navitas als Nächstes den Markt für Rechenzentren angehen und im Jahr 2022 entsprechende Produkte auf den Markt bringen.

Power Integrations gibt weiter Gas

Lange Zeit war Power Integrations unangefochtener Marktführer bei GaN-Bausteinen. In diesem Jahr hat das Unternehmen die neueste Chipserie InnoSwitch4-CZ herausgebracht, die auf seiner proprietären PowiGaN-Technologie basiert. Aufgrund ihres Einsatzes in den 65-W-Schnellladegeräten von Anker haben diese Chips auf dem Markt für Schnellladegeräte großen Anklang gefunden.

Darüber hinaus dürften die kürzlich veröffentlichten integrierten AC-DC-Controller- und USB-PD-Controller-ICs von Power Integrations in diesem Jahr einen wesentlichen Beitrag dazu leisten, das Umsatzwachstum des Unternehmens zu steigern. Mit einem geschätzten Marktanteil von 24 Prozent dürfte Power Integrations im Jahr 2021 den zweiten Platz in der Rangliste der Anbieter von GaN-Bausteinen belegen.

Anbieter zum Thema

zu Matchmaker+

  1. Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron
  2. Innoscience profitiert vom Handelsstreit


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Ralf Higgelke, Gene Sheridan, Navitas, Florin Udrea, Cambridge GaN Devices, Gerald Deboy, Infineon, Denis Marcon, Innoscience

Neue Einsatzgebiete für Galliumnitrid

Raus aus der Consumer-Nische

AdobeStock_182239798_Preview

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Die Umsatzentwicklung der fünf größten taiwanischen Halbleiterhersteller im Mai und im Juni dieses Jahres. Nur Macronix konnte deutlich zulegen, im Durchschnitt fällt der Umsatz der Top Ten um 5 Prozent.

Chipmarkt im dritten Quartal

Umsatzeinbruch befürchtet

Innoscience

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

eshma/stock.adobe.com

Preisdruck hält unvermindert an

»Eine solche Knappheit an Gütern gab es noch nie«

OVHcloud Rechenzentrum Datacenter

Cambridge GaN Devices

Rechenzentren mit Galliumnitrid »grüner« machen

Power Integrations, InnoSwitch3-AQ, Silicon Carbide

Power Integrations

InnoSwitch3 nun auch mit Siliziumkarbid verfügbar

IVWorks, GaN, Gallium Nitride, GalliumNitride

GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer

IVWorks übernimmt GaN-Wafertechnologie von Saint-Gobain

Innoscience, Gallium Nitride, Galliumnitride

Chinesischer GaN-on-Si-Chiphersteller

Innoscience eröffnet Büros in den USA und Europa

Applied Novel Devices, MOSFET, Semiconductors

Applied Novel Devices

Silizium-MOSFETs mit GaN-Performance

STMicroelectronics, PowerGaN, STPower, GaN, Gallium Nitride

Galliumnitrid (GaN)

STMicroelectronics präsentiert erste PowerGaN-Produkte

Engelbert Hopf.jpg

Kommentar

Rekordumsätze trotz Lieferengpässen

Power Integrations, USB-PD Charger

Power Integrations

Referenzdesign für ultrakompaktes 100-W-USB-Ladegerät

STMicroelectronics

Wirkungsgrad und Ökologie

Effizientere Leistungswandler dank SiC-Transistoren

EDOYO/stock.adobe.com

Leistungshalbleiter

SiC-Bedarf explodiert

Engelbert Hopf.jpg

Kommentar

Da ist was in Bewegung!

Power Integrations

GaN-Chipsatz

Kompakte Sperrwandler mit hohem Wirkungsgrad

Bilder: Mitsubishi Electric

Energieeinsparung im Schienenverkehr

SiC-Halbleitermodule für Bahnanwendungen

Littelfuse

Die Applikation steht im Fokus!

SiC oder nicht SiC – das ist hier die Frage!

Leistungsanalysator der neuen Generation

Leistungsmessung von DC bis 5 MHz

EA Elektro-Automatik

Klimaneutrale Energieerzeugung

Brennstoffzellen effizient und vereinfacht testen

STMicroelectronics

Platzbedarf und Verluste reduzieren

Ehrgeizige Pläne für die GaN-Produktfamilie

Infineon Technologies

Wide Bandgap für die 5G-Infrastruktur

650-V-CoolSiC in modernen Telekommunikations-SMPS

Infineon Technologies

Schnelles Tanken an der Stromtankstelle

Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen durch CoolSiC

Wolfgang Weber, ZVEI

ZVEI fordert sechs neue Halbleiter-Fabs

Markt für Leistungshalbleiter verdreifacht sich bis 2030

china 8,5

Neuer Fünfjahresplan

China fördert lokale Wertschöpfungskette bei Siliziumkarbid

Power Integrations, InnoSwitch3-PD

Power Integrations

Sperrwandler-IC mit integriertem USB-PD-Controller

GaN Systems

Galliumnitrid / Elektromobilität

BMW sichert sich Fertigungskapazitäten bei GaN Systems

Infineon, Panasonic, Gallium Nitride, GaN

Infineon und Panasonic

Zweite GaN-Generation kommt 2023

Yole Développement, Gallium Nitride

Analyse von Yole Développement

2026 knackt GaN die 1-Milliarde-Dollar-Marke

Leo Lorenz, ECPE, Siilicon Carbide, Gallium Nitride

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

ChonnieArtwork/stock.adobe.com

Handelskrieg und Knappheit

China wird schnell unabhängiger