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TLVR-Vierphasenmodul mit über 2 A/mm² Stromdichte

27. März 2026, 7:50 Uhr | Iris Stroh
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Infineon Technologies bringt ein Vierphasen-Leistungsmodul mit hoher Stromdichte und TLVR-Induktivitäten (Trans-Inductor Voltage Regulator) auf den Markt, um den Leistungsbedarf moderner KI-Rechenzentren zu decken.

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Bei dem TDM24745T von Infineon handelt es sich um ein neues OptiMOS-Vierphasen-Leistungsmodul, das speziell für die rasant steigenden Leistungsanforderungen von KI-Beschleunigern entwickelt wurde. Es integriert vier Leistungsstufen, einen TLVR-Induktor und Entkopplungskondensatoren in einem kompakten Gehäuse mit den Abmessungen 9 x 10 x 5 mm³. Das Modul erreicht laut Unternehmensangabe eine branchenführende Stromdichte von über 2 A/mm². Diese Kombination ermöglicht ein hervorragendes Transientenverhalten und unterstützt die hohen Kernströme moderner GPU- und KI-Prozessoren.

Der Energiebedarf von KI-Rechenzentren steigt kontinuierlich, weshalb Stromversorgungsarchitekturen kompakter, reaktionsschneller und effizienter werden müssen. Das TDM24745T-Modul begegnet diesen Herausforderungen, indem es das Design der Stromversorgungsarchitektur vereinfacht, eine höhere Leistungsdichte ermöglicht, und so zusätzlichen Platz auf der Leiterplatte für zusätzliche Rechenressourcen schafft. Gleichzeitig bietet das Modul ein extrem schnelles Transientenverhalten. Die TLVR-Architektur kann zudem die erforderliche Ausgangskapazität um bis zu 50 Prozent reduzieren und unterstützt Systementwickler dabei, effizientere und platzsparende Layouts zu realisieren, die direkt zu Energieeinsparungen und niedrigeren Gesamtbetriebskosten auf AI-Serverplattformen beitragen.

Als branchenweit erstes TLVR-Vierphasenmodul in diesem kompakten Formfaktor bietet das TDM24745T eine Spitzenstromkapazität von bis zu 320 A und eignet sich damit besonders gut für KI-Prozessoren der nächsten Generation sowie Hochstrom-Multiprozessorplattformen. In Kombination mit den digitalen Mehrphasen-Controllern von Infineon unterstützt das Modul flexible und skalierbare Architekturen, die die Systembereitstellung in schnell wachsenden KI-Umgebungen beschleunigen. Basierend auf der OptiMOS 6 MOSFET-Technologie, chipintegrierten Lösungen und proprietären Magnetkomponenten liefert das Modul selbst in den dicht gepackten KI-Serverdesigns verbesserte Effizienz sowie thermische Leistung und trägt so zur Entwicklung energieeffizienterer KI-Fabriken bei.


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