Leistungshalbleiter

Deutlich mehr Anbieter

SiC- und GaN-Leistungsschalter auf der Überholspur

Während sich Siliziumkarbid (SiC) vor allem für Applikationen mit Sperrspannungen über 1000 V empfiehlt, scheint sich das erst vor wenigen Jahren aus den Labors in die Entwicklungsphase übergegangene Galliumnitrid (GaN) zu einer Alternative zu…

International Rectifier

Heimkinosystem nutzt als erstes GaN-auf-Silizium-Bausteine

International Rectifier hat nun erstmals im großen Umfang Produkte ausgeliefert, die auf…

International Rectifier

40-V-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

International Rectifier hat AEC-Q101-qualifizierte 40-V-N-Kanal-MOSFETs mit niedrigem…

Infineon Technologies

Neues TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 300 A

Ein neues TO-Leadless-Gehäuse, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant…

Stromversorgung

Dioden im Vergleich

Wo entsteht in einer Stromversorgung meist die größte Wärme und wird damit oft die meiste…

Hochspannungs-IGBTs

Antriebe umweltfreundlich gestalten

Entwickler von Umrichter-gesteuerten industriellen Motorantrieben fordern hohe…

Gate-Widerstände konfigurieren

IGBTs parallel ansteuern

Da die Nachfrage nach immer leistungsfähigerer Elektronik weiter steigt, müssen Lasten mit…

PCIM Europe 2013

Leistungselektronik als Schlüsseltechnologie für die Energiespeicherung

Aktuelle Trends, Produkte und Dienstleistungen aus den Bereichen Leistungselektronik,…

Optimierte Dioden

Komponenten mit 650 V Sperrspannung

Unterschiedliche Anwendungen erfordern optimierte Leistungshalbleiter. Abhängig von der…

Fairchild Semiconductor

Vierfach-MOSFET als Brückengleichrichter

Vier 60-V-MOSFETs hat Fairchild in dem »FDMQ86530L« integriert. Dieses Bauteil kann…