GaN-Leistungshalbleiter
Cree lizenziert GaN-Bauteilpatente an Transphorm
Cree hat einen nicht-exklusiven, weltweiten Lizenzvertrag mit Transphorm unterzeichnet, der Transphorm Zugang zu der umfangreichen Familie von Cree-Patenten im Zusammenhang mit GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor) und GaN-Schottky-Dioden für den Einsatz in der Leistungselektronik bietet.
Bei der lizenzierten Familie von Patenten geht es um verschiedene Aspekte der Herstellung von GaN-Leistungshalbleitern einschließlich Nitridmaterialien sowie das Design von HEMTs und Schottky-Dioden und die entsprechende Prozesstechnologie. Während GaN-HEMTs bereits ausgiebig im HF-Markt von Cree und anderen einsetzt, nutzen Transphorm und einer Reihe von anderen Unternehmen dieses Halbleitermaterial für Leistungshalbleiter.
»Viele Erfindungen, die Cree in den vergangenen 17 Jahren für den HF-Markt etabliert hat, können und sollen von anderen verwendet werden, um Chips für den aufkeimenden GaN-Power-Bereich herzustellen«, erklärt John Palmour, CTO bei Cree und einer deren Mitgründer.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Cree
Neues Design-Kit für 1200-V-MOSFETs
Transphorm und Fujitsu Semiconductor
Start der Massenproduktion von GaN-Leistungshalbleitern
GaN-Leistungshalbleiter
ON Semiconductor und Transphorm verbrüdern sich
GaN-Leistungshalbleiter
Transphorm lizenziert GaN-Patente von Furukawa Electric
Deutlich mehr Anbieter
SiC- und GaN-Leistungsschalter auf der Überholspur
Cree / MEV Elektronik Service
Zweite Generation SiC-MOSFETs
