Leistungshalbleiter

Gartner

Power-Transistor-Markt wächst bis 2016 auf knapp 12 Mrd. Dollar

Kräftiges Wachstum im Industrie- und Automotive-Bereich, Preisverfall und stagnierende Nachfrage im Konsumersegment. Trotz dieser unterschiedlichen Ausganglage erwartet Gartner in den kommenden drei Jahren bei Leistungs-Transistoren einen…

Galliumnitrid-Leistungsbauelemente

Fujitsu fertigt ab 2013 GaN-Schalter

Mit GaN-Leistungsbauelementen möchte Fujitsu Semiconductor hocheffiziente…

Interview mit Dr. Gerald Paul, Vishay

»Chinas Industrieelektronikmarkt bietet uns ein riesiges Potenzial«

Neben den Märkten Mobilität, Nachhaltigkeit und Vernetzung setzt Dr. Gerald Paul, CEO und…

Entwickeln mit Digital-Power

System optimal versorgt

Chips in modernen Hochleistungs-Computer-Subsystemen zu versorgen, bringt immer höhere…

IGBT-Module

Umrichter effizient gestalten

Energieeffizienz lässt sich nicht allein auf den Wirkungsgrad reduzieren, vielmehr ergibt…

SiC-Transistor

Fairchild setzt auf Bipolar-Transistoren

Fairchild setzt auf bipolare Sperrschicht-Transistoren, kurz BJT, aus Siliziumcarbid. Das…

Power-MOSFET

Branchenerster SiC-Power-MOSFET mit integrierter SiC-SBD

Der Hochvolt-Power-MOSFET SCH2080KE von Rohm wartet mit deutlich reduzierten…

IGBT

Nennspannung bis 1.350 V

Schnell schaltende, integrierte IGBTs mit einer Nennspannung bis zu 1.350 V hat Toshiba…

JFET

SiC-JFET mit horizontalem Kanal

Ein SiC-JFET mit horizontalem Kanal hat Infineon im Portfolio: Die selbstleitenden…

Hochvolt-MOSFETs

Wirkungsgrad steigern mit CE-MOSFETs

Die CoolMOS-CE-Familie ist die vierte Technologie-Plattform der Hochvolt-MOSFETs von…