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Infineon Technologies

MOSFETs für hart schaltende Anwendungen

8. Juni 2015, 7:04 Uhr | Iris Stroh

OptiMOS 300 V

Infineon Technologies erweitert sein MOSFET-Portfolio durch OptiMOS 300 V. Die neue Reihe unterstützt Systementwickler darin, bei höchster Zuverlässigkeit die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig die Kosten zu senken. Der Endanwender profitiert durch geringere Energiekosten.

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OptiMOS 300 V von Infineon Technologies halbiert die Energieverluste in hart schaltenden Anwendungen wie zum Beispiel AC/DC-Wandlern. Dies lässt höhere Schaltfrequenzen zu, was wiederum die Verwendung kleinerer passiver Bauelemente erlaubt und so auch die Abmessungen der Gesamtlösung verkleinert. OptiMOS 300 V ermöglicht darüber hinaus zusätzliche Reserven für Spannungsspitzen, was in einem 60-V-Telekommunikations-Gleichrichter für mehr Zuverlässigkeit und Sicherheit sorgt und das Design vereinfacht. Auch die Anzahl der Stufen, die in Hochspannungs-Schaltnetzteilen kaskadiert werden müssen, lässt sich verringern. Eine USV für 110 V AC ist mit OptiMOS 300 V ebenfalls realisierbar.

Ausgestattet mit einer schnellen Diodentechnologie, zeichnet sich OptiMOS 300 V laut Unternehmensangabe im Vergleich zum nächstbesten alternativen Baustein durch eine um 70 Prozent geringere Sperrverzögerungsladung Qrr aus. Diese Charakteristik sorgt für ein sanftes Verhalten der Body-Diode und minimiert die Spannungs-Überschwinger. OptiMOS 300 V im TO-220-Gehäuse bietet laut Infineon den industrieweit niedrigsten Wert für den Einschaltwiderstand R DS(on) mit einer gegenüber anderen Produkten auf dem Markt um 58 Prozent geringeren Figure of Merit (FOM: R DS(on) x Q g). Dies äußert sich unmittelbar durch geringere Leitungsverluste und einen insgesamt höheren Wirkungsgrad in Hochstrom-Anwendungen wie etwa Motorregelungen.