Leistungshalbleiter

IGBT-Treiber und Leistungsbrücken

Modulare Umrichterentwicklung

Für die meisten Antriebslösungen ist eine vielfältige Auswahl von Umrichtern am Markt verfügbar. Allerdings gibt es auch Fälle, in denen eine kundenspezifische Umrichter-Entwicklung angebracht ist, z.B. bei Leistungstopologien, die von der…

STMicroelectronics

1500-V-Superjunction-MOSFET vorgestellt

Mit der Serie »MDmesh K5« hat STMicroelectronics Superjunction-Leistungs-MOSFETs mit 1500…

Leistungselektronik

Höherer Wirkungsgrad dank Galliumnitrid

Vor zwei Jahren wurden Stromversorgungen für Server vorgestellt, die einen…

Wide-Bandgap-Materialien

GaN gibt Gas

In den letzten Jahren sind GaN-Transistoren für kompakte, energieeffiziente…

SEMICON Europa 2015

»Silizium bleibt das Arbeitspferd der Leistungselektronik«

Zwei halbe Tage beschäftigte sich ein Konferenzteil auf der SEMICON Europa 2015 mit…

Superjunction-MOSFETs für hart und resonant…

Die Alternative zu GaN

In Zukunft sollen GaN-Bausteine in hart oder resonant schaltenden Applikationen für höhere…

Infineon Technologies

Weltmarkt-Führung bei Leistungshalbleitern ausgebaut

Zum zwölften Mal in Folge ist Infineon Weltmarktführer bei Leistungshalbleitern. Der…

IGBT5-PrimePACK-Module für erhöhte Anforderungen

Höhere Stromdichten bei unverändertem Bauraum

Steigende Betriebstemperaturen und ein robustes Modulgehäuse bei gleichzeitig steigender…

Halbleiterforschung

Fraunhofer THM optimiert höchstdotierte Siliziumkristalle

Leistungselektronik auf Basis optimierter Halbleitermaterialien kann der Energieverbrauch…

Vishay

Vorübergehender Produktionsstopp nach Explosion in Tianjin

Nach dem schweren Explosionsunglück in der chinesischen Hafenstadt Tianjin vom 12. August…