Leistungshalbleiter

© Power Integrations

Power Integrations

Offline-Sperrwandler-IC mit 94% Wirkungsgrad

Mit InnoSwitch3 hat Power Integrations eine neue Familie von Offline-Sperrwandler-ICs für Netzteile bis 65 W vorgestellt. Diese erzielen eine Wirkungsgrad von bis zu 94% über den gesamten Netzspannungs- und Lastbereiche hinweg. Gleichzeitig vermeidet…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Linear Technology

Ermöglicht Tastverhältnis bis 100 %

MOSFET-Treiber von Linear Technology

Beim LTC7004 von Linear Technology handelt es sich um einen…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

Kondensatoren in der Leistungselektronik

Leistungsdichte lässt sich weiter steigern

In der Leistungselektronik wird nach neuen Wegen gesucht, um die Leistungsdichte passiver…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© JEDEC

JEDEC-Ausschuss gebildet

Standardisierung bei GaN und SiC

Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) sind die am weitesten ausgereiften…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Infineon

Nach IXYS-Akquisition von Littelfuse

Yole prognostiziert: Module befeuern den IGBT-Markt

Der IGBT-Markt wird bis 2022 auf 5 Mrd. Dollar steigen, wobei ein Großteil auf Module…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Littelfuse

Die nächste Power-Übernahme

Littelfuse kauft IXYS für 750 Mio. US-Dollar

Littelfuse und IXYS haben eine endgültige Vereinbarung getroffen, dass Littelfuse alle…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Infineon Technologies | Componeers GmbH

Anwenderforum Leistungshalbleiter

GaN? SiC? Oder doch lieber Silizium?

Inzwischen stehen neben Leistungshalbleitern aus Silizium auch solche aus GaN und SiC zur…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Horacio Canals | Componeers GmbH

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Schnell noch anmelden!

Wenn Sie wissen wollen, worin sich Leistungshalbleiter aus SiC und GaN gegenüber solchen…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Microsemi Corporation

Microsemi tritt PowerAmerica bei

SiC-MOSFETs und -Dioden für 1,7 kV und 3,3 kV im Fokus

Microsemi ist PowerAmerica beigetreten, einem Konsortium, das die Kommerzialisierung von…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

Texas Instruments / Galliumnitrid

Keine Explosionen mehr durch integrierte GaN-Transistoren

Eine Lebensweisheit von Leistungselektronikern lautet: Erfolg kommt nur die durch die…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo