Leistungshalbleiter

Nach Apple-Ankündigung

Schwarzer Donnerstag für Dialog Semiconductor

Nach einer Ankündung von Apple ist die Aktie der britisch-deutschen Dialog Semiconductor am vergangenen Donnerstag um über 20 Prozent eingebrochen.

Universität Aalto / Galliumnitrid

Beryllium-dotiertes GaN für kommende Leistungshalbleiter

Galliumnitrid mit Beryllium zu dotieren hatte man vor 15 Jahren weitgehend verworfen. Nun…

Ampleon

Kosteneffektive LDMOS-Transistoren für RF Energy

LDMOS-Transistoren weisen gegenüber den neuen GaN-Typen immer noch einige Vorteile auf,…

RF Energy

Eine Technik – viele Märkte

Der SmarterWorld RF Energy Summit hat gezeigt: Es gibt zahlreiche Einsatzmöglichkeiten für…

mCube übernimmt Xsens

Vom Blockbuster bis zur ReHa

Durch die Übernahme von Xsens wird MEMS-Spezialist mCube in Zukunft in der Lage sein, ganz…

Interview mit Tim McDonald, Infineon

»CoolGaN konkurriert nicht mit CoolMOS«

Tim McDonald ist Senior Director GaN bei Infineon. Auf der PCIM Europe 2017 sprachen wir…

Fraunhofer IAF

More than Moore

Mehr Funktionalität und Leistung auf einem Chip – auch außerhalb von Moores Law. das ist…

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs parallelisieren

Die Spitzenströme zweier parallel geschalteter SiC-MOSFETs, die von nur einem Gate-Treiber…

Basierend auf U-MOS-IX-H-Trench-Prozess

Neue 40- und 60-V-n-Kanal-MOSFETs von Toshiba

Die neuesten 40-V- und 60-V-Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden im…

Zwei statt drei Stufen

Leistungsmerkmale industrieller Dreiphasen-PFCs verbessern

SiC-Leistungshalbleiter werden attraktiv für den Massenmarkt. Durch einfachere Topologien…