Leistungshalbleiter

© Texas Instruments

FMCW-Radarsysteme

Komplexe Signalverarbeitung im Basisband

Typische Eingangsstufen in Radarsystemen verarbeiten den Realteil des Empfangssignals in der Mischstufe und den folgenden Stufen. Wird stattdessen ein Quadraturmischer und eine komplexe Signalverarbeitung im Basisband eingesetzt, lässt sich die…

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© STMicroelectronics

STMicroelectronics

Einphasige Vollbrücke in einem Gehäuse

In dem 13 mm x 11 mm großen PWD13F60 von STMicroelectronics ist eine komplette einphasige…

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© Mitsubishi Electric

IEDM 2017

Widerstand von SiC-MOSFETs um zwei Drittel senken

Forscher von Mitsubishi Electric und der Universität von Tokyo haben die Auswirkungen…

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© Componeers GmbH

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch…

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Nach Apple-Ankündigung

Schwarzer Donnerstag für Dialog Semiconductor

Nach einer Ankündung von Apple ist die Aktie der britisch-deutschen Dialog Semiconductor…

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© Hanna Koikkalainen

Universität Aalto / Galliumnitrid

Beryllium-dotiertes GaN für kommende Leistungshalbleiter

Galliumnitrid mit Beryllium zu dotieren hatte man vor 15 Jahren weitgehend verworfen. Nun…

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© Ampleon

Ampleon

Kosteneffektive LDMOS-Transistoren für RF Energy

LDMOS-Transistoren weisen gegenüber den neuen GaN-Typen immer noch einige Vorteile auf,…

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© Markt & Technik

RF Energy

Eine Technik – viele Märkte

Der SmarterWorld RF Energy Summit hat gezeigt: Es gibt zahlreiche Einsatzmöglichkeiten für…

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© mCube

mCube übernimmt Xsens

Vom Blockbuster bis zur ReHa

Durch die Übernahme von Xsens wird MEMS-Spezialist mCube in Zukunft in der Lage sein, ganz…

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© Componeers GmbH

Interview mit Tim McDonald, Infineon

»CoolGaN konkurriert nicht mit CoolMOS«

Tim McDonald ist Senior Director GaN bei Infineon. Auf der PCIM Europe 2017 sprachen wir…

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