Leistungshalbleiter

Fraunhofer IAF

More than Moore

Mehr Funktionalität und Leistung auf einem Chip – auch außerhalb von Moores Law. das ist das Ziel zweier Forschungsprojekte des Fraunhofer Institutes für angewandte Festkörperphysik IAF. Auf der diesjährigen Productronica stellen Sie Ihre neuesten…

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs parallelisieren

Die Spitzenströme zweier parallel geschalteter SiC-MOSFETs, die von nur einem Gate-Treiber…

Basierend auf U-MOS-IX-H-Trench-Prozess

Neue 40- und 60-V-n-Kanal-MOSFETs von Toshiba

Die neuesten 40-V- und 60-V-Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden im…

Zwei statt drei Stufen

Leistungsmerkmale industrieller Dreiphasen-PFCs verbessern

SiC-Leistungshalbleiter werden attraktiv für den Massenmarkt. Durch einfachere Topologien…

Mehr Leistungsfähigkeit auf Systemebene

1600-W-Transistoren für das L-Band

GaN-Leistungshalbleiter stehen kurz vor dem Eintritt in den Massenmarkt. Speziell für…

1. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Anwendungs-Know-how für Leistungshalbleiter

Ob Fensterheber, Aufzugsteuerung, oder Pumpen, um Leistung zu schalten, bedarf es MOSFETs,…

Leistungsstarkes Trench-Konzept

Die Grenzen von SiC überwinden

Mit SiC-Bauelementen lassen sich Systeme mit hoher Leistungsfähigkeit und Effizienz…

O-S-D Report von IC Insights

Markt für Leistungstransistoren wächst wieder stabil

In diesem Jahr könnte der Umsatz bei Leistungstransistoren mit 13,6 Milliarden US-Dollar…

North Carolina State University

Foundry-Prozess für Siliziumkarbid

Bisher konnten nur Unternehmen bei SiC aktiv sein, die diese Bauteile auch selber…

Dr. Gourab Majumdar, Mitsubishi Electric

Power-Module »intelligent« machen

In der Leistungselektronik genießt Dr. Gourab Majumdar, Fellow der Semiconductor & Device…