Leistungshalbleiter

Mehr Leistungsfähigkeit auf Systemebene

1600-W-Transistoren für das L-Band

GaN-Leistungshalbleiter stehen kurz vor dem Eintritt in den Massenmarkt. Speziell für anspruchsvolle Anwendungen wie Luftfahrt und Radar sind Single-Ended-Transistoren auf GaN-Basis vielversprechend. Mit ihnen lassen sich deutlich platzsparendere und…

1. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Anwendungs-Know-how für Leistungshalbleiter

Ob Fensterheber, Aufzugsteuerung, oder Pumpen, um Leistung zu schalten, bedarf es MOSFETs,…

Leistungsstarkes Trench-Konzept

Die Grenzen von ­SiC überwinden

Mit SiC-Bauelementen lassen sich Systeme mit hoher Leistungs­fähigkeit und Effizienz…

O-S-D Report von IC Insights

Markt für Leistungstransistoren wächst wieder stabil

In diesem Jahr könnte der Umsatz bei Leistungstransistoren mit 13,6 Milliarden US-Dollar…

North Carolina State University

Foundry-Prozess für Siliziumkarbid

Bisher konnten nur Unternehmen bei SiC aktiv sein, die diese Bauteile auch selber…

Dr. Gourab Majumdar, Mitsubishi Electric

Power-Module »intelligent« machen

In der Leistungselektronik genießt Dr. Gourab Majumdar, Fellow der Semiconductor & Device…

Helix Semiconductors / DC/DC-Wandler

Mit Flying-Capacitors bis zu 97 % Wirkungsgrad

Samples ihres DC/DC-Wandler-ICs HS200 hat nun Helix Semiconductors. Dieser 15-W-Baustein –…

Verbesserter Wirkungsgrad

Sechste CoolSiC-Schottky-Dioden-Generation mit 650 V

Die CoolSiC-Schottky-Diode 650 V G6 ist das neueste Mitglied der CoolSiC-Diodenfamilie von…

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2017

Neue Source-Struktur macht SiC-MOSFETs robuster und effizienter

Entwickler von SiC-MOSFETs müssen zwischen Kurzschlussfestigkeit und Einschaltwiderstand…

Ab sofort Vorschläge einreichen!

Call for Papers für die PCIM Asia

Der Call for Papers der PCIM Asia 2018 ist eröffnet. Bis spätestens 30. November 2017…