Leistungshalbleiter

Reaktion auf Kundennachfrage

Spezialfoundry X-FAB verdoppelt 6-Zoll-SiC-Kapazität

X-FAB Silicon Foundries hat beschlossen, seine Produktionskapazitäten für 6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer am Standort Lubbock, Texas, zu verdoppeln, um der gestiegenen Nachfrage gerecht zu werden. Deshalb hat X-FAB Texas einen zweiten…

Galliumnitrid und Digital Power

Mit Effizienz in die Zukunft

Was haben Digital Power und GaN-Halbleiterbausteine gemeinsam? Beides sind innovative…

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Dr. Gerald Deboy und Dr. Alex Lidow halten die Keynotes

Nach dem großen Erfolg im letzten Jahr setzt das zweite Anwenderforum Leistungshalbleiter…

Yole Développement

Die Automobilindustrie ist der Motor für Siliziumkarbid

Der Markt für Siliziumkarbid-Halbleiter rollt an, so die Marktforscher von Yole…

Wolfspeed / Siliziumkarbid

SiC-Halbleiter erfüllen Automotive-Standard AEC-Q101

Mit der E-Serie hat Wolfspeed SiC-MOSFETs und -Dioden für die Elektromobilität und…

Neue 1200-V-IGBT-Generation von Infineon

Erster Trenchstop-IGBT auf 300-mm-Wafer

Mit dem Trenchstop IGBT6 bringt Infineon eine neue 1200-V-IGBT-Generation auf den Markt.…

Quartalszahlen

Texas Instruments steigert Gewinn und Umsatz kräftig

Texas Instruments hat eine Woche nach dem unerwarteten Rücktritt seines Vorstandschefs…

United Silicon Carbide

SiC-Kaskoden als Drop-in-Ersatz für MOSFETs und IGBTs

Hybride SiC-Kaskoden verbinden die Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleiterschaltern mit der…

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

Flosfia fertigt selbstsperrenden Galliumoxid-MOSFET

Galliumoxid gilt als vielversprechendes Material für die nächste Generation von…

GaN-Pionier EPC

»Jetzt können wir Low-Voltage-MOSFETs direkt attackieren«

Dr. Alex Lidow, der Erfinder des Trench-MOSFET, hat sich mit der Gründung des GaN-Pioniers…