Leistungshalbleiter

© Componeers GmbH

Alex Lidow, Efficient Power Conversion

»Wir können Silizium-MOSFETs nun direkt attackieren!«

Vor 40 Jahren entwickelte Alex Lidow den Leistungs-MOSFET für International Rectifier. Als CEO von EPC will er nun Silizium durch Galliumnitrid ersetzen. Mit der neuesten Bauteilgeneration hat er einen großen Sprung gemacht. DESIGN&ELEKTRONIK sprach…

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© Infineon Technologies

Vom Nischenmarkt zum Boom

Leistungshalbleiter global stark gefragt

Leistungshalbleiter waren einmal ein Nischenmarkt. Globale Megatrends, die eine extrem…

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© STMicroelectronics

Kooperation mit CEA Leti

STMicroelectronics startet GaN-on-Si-Aktivität

STMicroelectronics und das Forschungsinstitut Leti wollen gemeinsam GaN-on-Si-Technologien…

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© Jörg Berkner

Reinhard Ploss, CEO von Infineon

» China plant definitiv langfristiger! «

Infineon erzielt 25 % des Umsatzes in China. Im Exklusiv-Interview mit der…

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© Markt&Technik

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Legenden live erleben!

Wie soll sich der Anwender in dem »Dschungel« aus MOSFET, IGBT & Co. zurechtfinden und den…

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© X-FAB

Siliziumcarbid

X-FAB verdoppelt SiC-Produktionskapazität

SiC-Leistungshalbleiter auf 150-mm-Wafern produziert X-FAB in seinem Werk in Lubbock,…

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© X-FAB Silicon Foundries

Reaktion auf Kundennachfrage

Spezialfoundry X-FAB verdoppelt 6-Zoll-SiC-Kapazität

X-FAB Silicon Foundries hat beschlossen, seine Produktionskapazitäten für…

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Galliumnitrid und Digital Power

Mit Effizienz in die Zukunft

Was haben Digital Power und GaN-Halbleiterbausteine gemeinsam? Beides sind innovative…

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© Infineon Technologies, Efficient Power Conversion

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Dr. Gerald Deboy und Dr. Alex Lidow halten die Keynotes

Nach dem großen Erfolg im letzten Jahr setzt das zweite Anwenderforum Leistungshalbleiter…

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© Tesla, Inc.

Yole Développement

Die Automobilindustrie ist der Motor für Siliziumkarbid

Der Markt für Siliziumkarbid-Halbleiter rollt an, so die Marktforscher von Yole…

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