Leistungshalbleiter

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Vorschau auf das Programm!

Wie soll sich der Anwender in dem »Dschungel« aus MOSFET, IGBT & Co. zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Am 7. und 8. November veranstalten wir in München das zweite Anwenderforum…

Türöffner für hohe Schaltfrequenzen

SiC optimal ansteuern

Aktuelle MOSFETs aus Siliziumkarbid können als Leistungsschalter bei Frequenzen bis über 1…

Karl-Heinz Gaubatz von Semikron:

»In Asien das größte Wachstum«

Unter der Leitung des neuen CEO Karl-Heinz Gaubatz leitet Semikron eine Reihe von…

Kommentar zu GaN von STMicroelectronics

Wer zu spät kommt …

Letzten Montag vermeldete STMicroelectronics, dass es eine GaN-auf-Silizium-Technologie…

Alex Lidow, Efficient Power Conversion

»Wir können Silizium-MOSFETs nun direkt attackieren!«

Vor 40 Jahren entwickelte Alex Lidow den Leistungs-MOSFET für International Rectifier. Als…

Vom Nischenmarkt zum Boom

Leistungshalbleiter global stark gefragt

Leistungshalbleiter waren einmal ein Nischenmarkt. Globale Megatrends, die eine extrem…

Kooperation mit CEA Leti

STMicroelectronics startet GaN-on-Si-Aktivität

STMicroelectronics und das Forschungsinstitut Leti wollen gemeinsam GaN-on-Si-Technologien…

Reinhard Ploss, CEO von Infineon

» China plant definitiv langfristiger! «

Infineon erzielt 25 % des Umsatzes in China. Im Exklusiv-Interview mit der…

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Legenden live erleben!

Wie soll sich der Anwender in dem »Dschungel« aus MOSFET, IGBT & Co. zurechtfinden und den…

Siliziumcarbid

X-FAB verdoppelt SiC-Produktionskapazität

SiC-Leistungshalbleiter auf 150-mm-Wafern produziert X-FAB in seinem Werk in Lubbock,…