Leistungshalbleiter

Texas Instruments / Galliumnitrid

Drei neue Leistungsstufen mit 600-V-GaN-Transistoren

TI hat die LMG341x-Familie präsentiert. Dies sind Leistungsstufen, die auf GaN-FETs mit Einschaltwiderständen von 50 mΩ und 70 mΩ beruhen. Auf der electronica zeigt TI eine mit Siemens entwickelte cloudbasierte 10-kW-Grid-Link-Demonstration.

UnitedSiC

650- und 1200-V-SiC-JFETs der dritten Generation

UnitedSiC stellt die dritte Generation seiner 1200- und 650-V-SiC-JFETs vor. Für die…

Deutsche Niederlassung

Mitsubishi Electric feiert 40-jähriges Bestehen

Seit inzwischen 40 Jahren besteht die deutsche Niederlassung von Mitsubishi Electric in…

Dr. Steffen Metzger, Infineon

CoolGaN startet in den Massenmarkt

Auch bei Infineon ist Galliumnitrid ein ganz heißes Thema. Auf der PCIM Europe sprachen…

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Erfahrungsaustausch auf Augenhöhe

Eine Woche vor der electronica bietet das "Anwenderforum Leistungshalbleiter" der…

Für 300 Millionen Dollar

Apple erwirbt Teile von Dialog Semiconductor

Der europäische Chipentwickler Dialog Semiconductor tritt einen Teil seines Geschäfts und…

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Vorschau auf das Programm!

Wie soll sich der Anwender in dem »Dschungel« aus MOSFET, IGBT & Co. zurechtfinden und den…

Türöffner für hohe Schaltfrequenzen

SiC optimal ansteuern

Aktuelle MOSFETs aus Siliziumkarbid können als Leistungsschalter bei Frequenzen bis über 1…

Karl-Heinz Gaubatz von Semikron:

»In Asien das größte Wachstum«

Unter der Leitung des neuen CEO Karl-Heinz Gaubatz leitet Semikron eine Reihe von…

Kommentar zu GaN von STMicroelectronics

Wer zu spät kommt …

Letzten Montag vermeldete STMicroelectronics, dass es eine GaN-auf-Silizium-Technologie…