Leistungshalbleiter

Renesas Electronics

300-mm-Fab in Kofu für Leistungshalbleiter eröffnet

Renesas Electronics hat in seiner Kofu Factory in Kai City, Präfektur Yamanashi, Japan, den Betrieb aufgenommen und erweitert damit seine Produktionskapazitäten für Leistungshalbleiter deutlich.

Angriff auf SiC- und GaN-Domäne

Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an

Es wäre ein Paukenschlag: Infineon Technologies wird einen diskreten 400-V-SiC-MOSFET auf…

Infineon/HD KSOE

Elektrifizierung von Schiffen

Infineon Technologies und HD Korea Shipbuilding & Offshore Engineering (HD KSOE) haben…

Die Klage sei unbegründet

Stellungnahme zur Klage von Infineon gegen Innoscience

Infineon Technologies hatte in den USA Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology…

GaN-Technologie

Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung

Infineon Technologies hat über ihre Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria AG…

Infineon: CoolSiC MOSFETs 2000 V

SiC-Komponente mit einer Durchbruchspannung von 2000 V

Infineon Technologies hat die neuen CoolSiC MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse…

»AI Everywhere«-Event

Emerald Rapids und Intel Core Ultra sind da

Auf der Intel Innovation 2023 hatte Pat Gelsinger, CEO von Intel, angekündigt, dass Mitte…

Interview mit Jean-Christophe Eloy, Yole

Vertical GaN wird es nicht vor Ende dieses Jahrzehnts geben

Jean-Christophe Eloy, Gründer, President und CEO der Yole-Gruppe, ist zuversichtlich, dass…

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

Zu teuer, zu unzuverlässig – mit diesen beiden Vorurteilen zum Einsatz von…

Aussichten für Leistungshalbleiter 2024

Wachstumstreiber Energie- und Automotive-Anwendungen

Nach teils rasanten Umsatzzuwächsen in einzelnen Produkt- und Anwendungssegmenten während…