Leistungshalbleiter

Infineon: CoolSiC MOSFETs 2000 V

SiC-Komponente mit einer Durchbruchspannung von 2000 V

Infineon Technologies hat die neuen CoolSiC MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse vorgestellt und reagiert damit auf die Nachfrage nach höherer Leistungsdichte, ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit zu machen, selbst unter anspruchsvollen…

»AI Everywhere«-Event

Emerald Rapids und Intel Core Ultra sind da

Auf der Intel Innovation 2023 hatte Pat Gelsinger, CEO von Intel, angekündigt, dass Mitte…

Interview mit Jean-Christophe Eloy, Yole

Vertical GaN wird es nicht vor Ende dieses Jahrzehnts geben

Jean-Christophe Eloy, Gründer, President und CEO der Yole-Gruppe, ist zuversichtlich, dass…

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

Zu teuer, zu unzuverlässig – mit diesen beiden Vorurteilen zum Einsatz von…

Aussichten für Leistungshalbleiter 2024

Wachstumstreiber Energie- und Automotive-Anwendungen

Nach teils rasanten Umsatzzuwächsen in einzelnen Produkt- und Anwendungssegmenten während…

ProTek Devices

Überspannungsschutz in E-Autos

ProTek Devices hat zwei neue TVS-Komponenten für den Überspannungsschutz in…

Cortex-M0+-MCU-Familie

Eine Plattform für alles

Eine kostengünstige 32-bit-MCU-Familie auf Basis des Prozessorkerns Cortex-M0+, die einen…

Bourns neue IGBT-Generation

Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen

Mit der zunehmenden Konzentration auf die Betriebseffizienz von E-Motoren für alle…

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

Zu teuer, zu unzuverlässig – mit diesen beiden Vorurteilen zum Einsatz von…

Bourns neue IGBT-Generation

Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen

Mit der steigenden Konzentration auf die Betriebseffizienz von Elektromotoren für alle…