SiC-MOSFETs
Mythos Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
19. Oktober 2012, 13:27 Uhr |
Von Mrinal Das
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Literatur & Autor
[1] Li, H.-F.; Dimitrijev, S.; Harrison, H.B.: IEEE Electron Device Letters, 19 (1998) 279-281.
[2] http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD92.pdf
[3] McPherson, J.W.: Reliability Physics and Engineering. New York, NY. Springer 2010.
[4] Griffoni, A.; van Duivenbode, J.; Linten, D.; Simoen, E.; Rech, R.; Dilillo, L.; Wrobe, F.; Verbist, P.; Groeseneken, G.: IEEE Trans on Nuclear Science 59. Seiten 866-871; 2012.
[5] http://www.jedec.org
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| Mrinal Das |
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ist seit Januar 2012 Produkt Marketing Manager bei Cree in Durham, North Carolina (USA). Zuvor war er dort mehr als zwölf Jahre technisch verantwortlicher Power Device Scientist für die Entwicklung von SiC-HV-Switches und Gleichrichter. Mrinal Das hat an der Purdue University Elektrotechnik studiert und das Studium erfolgreich als PhD Electrical Engineering abgeschlossen. |
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