SiC-MOSFET
Leckstrom unter 1 µA
13. Dezember 2011, 11:27 Uhr |
Frank Riemenschneider
Cree hat eine Produktfamilie von Siliziumcarbid-MOSFETs unter dem Namen Z-FET auf den Markt gebracht. Dabei steht das Z in Anlehnung an die Schottky-Dioden-Familie Z-Rec für Zero Recovery.
Diesen Artikel anhören
Als erster Vertreter der Leistungs-MOSFET-Famile kommt ein 1200-V-Baustein mit der Bezeichnung CMF20120D auf den Markt. Der Leckstrom liegt unter 1 μV; der Einschaltwiderstand RDS(on) beträgt bei den neuen Bausteinen 80 mΩ bei 25 °C und bleibt über den gesamten Betriebstemperaturbereich unter 100 mΩ. Der Baustein eignet sich für Antriebs-Anwendungen bis 10 kW.
Jobangebote+ passend zum Thema
GLYN GmbH & Co. KG, Idstein
GLYN GmbH & Co. KG, Idstein
GLYN GmbH & Co. KG, Idstein
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
