Efficient Power Conversion
100-V-GaN-Leistungstransistoren
2. Mai 2025, 07:30 Uhr |
Engelbert Hopf
Ein RDS(on) von nur 1,2 mOhm zeichnet den 100-V-GaN-FET EPC2367 aus, den Efficient Power Conversion auf der Messe vorstellt.
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Entwickelt wurde er für Busarchitekturen mit 48 V Zwischenkreisspannung. Der neue Baustein zeigt eine viermal höhere Temperaturwechselbeständigkeit als Vertreter aus früheren GaN-Generationen. In einem 1 MHz-/1,25 kW-System reduziert der EPC2367 die Verluste und erzielt die 1,25-fache Ausgangsleistung früherer GaN- und Si-MOSFET-Alternativen. Mit dem EPC90164 gibt es ein Entwicklungsboard mit einer Halbbrücke mit dem EPC2367. Es ist für eine maximale Betriebsspannung bis 80 V und einen maximalen Ausgangsstrom von 35 A ausgelegt. Das Board vereinfacht die Evaluierung von Stromversorgungssystemen. Bei einer Abnahme von 3000 Leistungstransistoren liegt der Stückpreis des EPC2367 bei 2,81 US-Dollar, das Entwicklungsboard kostet 200 US-Dollar.
Halle 9, Stand 318
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