Beck Elektronik Bauelemente
Komplettes Power-Programm
2. Mai 2025, 07:00 Uhr |
Engelbert Hopf
In Nürnberg stehen am PCIM-Stand von Beck Elektronik leistungsstarke Komponenten für die Zukunft der Energieumwandlung und -verteilung im Fokus.
Zu den Highlights, die das 100-jährige Unternehmen auf der Messe ausstellt, gehört unter anderem das Hochstromrelais NE200 von HKE. Entwickelt wurde es für hohe Schaltströme bis 55 A bei 830 VAC und Dauerströme bis 200 A. Es bietet eine Isolationsspannung bis zu 5000 VAC und eine Lebensdauer von bis zu 30.000 elektrischen Schaltzyklen. Ebenfalls auf der Messe zu sehen sind DC-Link-Kondensatoren in Form von Snap-in-Kondensatoren von CapXon und Chemi-Con mit Spannungen von 450 bis 700 V sowie Folienkondensatoren von Iskra und ZhongXing für Anwendungen bis 1200 V. Mit einer breiten Auswahl an Leistungsmodulen vom IGBT bis SiC, mit Schraubanschluss, Pressfit oder Pinfins deckt Beck Elektronik verschiedenste Applikationen im Leistungselektronikbereich ab.
Halle 7, Stand 100
Jobangebote+
passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Cambridge GaN Devices
Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung
Infineon Technologies
Erweiterung der OptiMOS-6-Familie
Ein Übergangsjahr mit großem Potenzial
Stromversorgungsbranche rechnet mit einstelligem Wachstum 2025
Vishay entwickelt Lösungen
DC-Netze erobern die Welt
Schukat electronic
Umfassendes Produktspektrum
Rohm Semiconductor
Highlights für E-Mobility und Industrial
Optimierung parasitärer Effekte
Evaluierungsboard reduziert Streuinduktivität mit SiC-MOSFETs
Mersen
Powermanagement für die Energiewende
Efficient Power Conversion
100-V-GaN-Leistungstransistoren
PCIM Expo & Conference 2025
Mehr Aussteller, mehr Hallen, mehr Vorträge
Live auf der PCIM
Wie MEMS-Relais die Effizienz drastisch steigern
Sorgfältige Abstimmung ist notwendig
RMS-Ströme bei Eingangskondensatoren richtig berücksichtigen
Rohm
SiC-Power-Module mit hoher Leistungsdichte
Advertorial: Littelfuse
Thermisch gealterte Silikongele in Leistungshalbleitermodulen
Tanaka Precious Metal Technologies
Miniaturisierung bei Kontaktbändern für Signalrelais
Heraeus auf der PCIM
Neue Materialien für die Leistungselektronik
Weltweiter Anstieg des Energieverbrauchs
Wie Siliziumkarbid die Energiesysteme verändert
Infineon Technologies
Erste GaN-Transistorfamilie mit integrierter Schottky-Diode
Schurter
Normierung von DC-Steckern für Rechenzentren
Kleiner, schneller, stärker
Perfekte Kombination aus AlN-Keramiksubstrat und SiC-MOSFETs
Europa stärken
X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE
onsemi verbessert Position durch Zukäufe
Klarer Fokus auf Leistungselektronik
Leistungselektronikindustrie
Wachstum, Herausforderungen und strategische Veränderungen
Kriterien für die Auswahl
Robuste und hochzuverlässige Stecker – darauf ist zu achten
Rechenzentren, Cloud- und Edge-Computing
Glasfasersteckverbinder der nächsten Generation
Interview mit Thomas Seesing, Harting
Alles neu beim D-Sub-Steckverbinder?
Globalen Veränderungen trotzen
Investitionsprogramme sollen passive Bauelemente pushen
Bei künftig steigenden Anforderungen
7 Kriterien für die Auswahl von Industriesteckverbindern
Stecker, Gehäuse, Schalter und mehr
Online-Themenwoche Elektromechanik 2025
Neues DC-Spannungsrelais
Überwachung von Gleichstromnetzen
Weidmüller
Industrielle Koppelrelais, vielseitig einsetzbar
Hitzeentlastung
Fortschritt bei Relais ermöglicht neue EV-Wallbox-Designs
Wo GaN möglich ist, gehört GaN auch hin
Wie die GaN-Welle ins Rollen kommt
Hohe Wärmeableitung
650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse
TDK
Kleine X1-Kondensatoren
Test-to-Failure für mehr Zuverlässigkeit
Langfristige Leistungsfähigkeit von Steckverbindern garantieren
Sicherheit beim autonomen Fahren
Board-to-Board-Verbindung von Steuergeräten
Aus der Fab in Villach
Infineon liefert erste SiC-Produkte auf 200-mm-Wafern aus
Improved Power Density
CoolSiC MOSFETs 650 V G2 in Q-DPAK and TOLL packages
Andreas Mangler (Rutronik) im Interview
Europas Rolle im globalen Markt für Leistungshalbleiter
Harting
Strukturierte Verkabelung als Grundlage der All Electric Society
Forvia Hella/Infineon Technologies
Neue SiC-MOSFETs für neue DC/DC-Ladelösungen
Für extreme thermische Bedingungen
Robuste Leistungselektronik mit SiC
Rohm: SiC-MOSFETs der vierten Generation
2-in-1-SiC-Module für kompakte xEV-Wechselrichter
Hoffnung auf Besserung
Passive Bauelemente: KI ist Wachstumsmotor, aber nicht in Europa
16 Technologien passiver Bauelemente
Andreas Hammer, Yageo: »Wir bedienen über 90 Prozent der BOM«
Die Rolle von Halbleitern
Keine KI ohne Strom: Große Herausforderungen für Rechenzentren
Grundsteinlegung
Infineon Technologies: Neue Backend-Produktion in Thailand
Ausblick auf 2025
Molex: 10 Trends im Bereich schneller Verbindungstechnik
