Nexperia
1200 V SiC Schottky Dioden für energieintensive Infrastrukturen
Nexperia stellt zwei neue 1200 V und 20 A Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) für anspruchsvolle Industrieanwendungen vor: PSC20120J und PSC20120L.
Diese Bauteile wurden für Anwendungen mit höchsten Anforderungen an Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit entwickelt. Sie ermöglichen eine hocheffiziente Energiewandlung in industriellen Anwendungen und eignen sich ideal für Netzteile (PSUs) in energieintensiven KI-Serverfarmen, Telekommunikationsinfrastruktur sowie Photovoltaik-Wechselrichtern.
Die neuen SiC Schottky Dioden von Nexperia liefern Spitzenleistung dank temperaturunabhängigem kapazitivem Schalten und vollständig erholungsfreiem Verhalten (Zero Recovery), was zu einem hervorragenden Leistungswert (QC x VF, Figure of Merit) führt. Die Schaltleistung bleibt dabei nahezu unbeeinflusst von Stromstärke und Schaltgeschwindigkeit. Dank Merged-PiN-Schottky-Struktur (MPS) sind die Dioden außergewöhnlich robust gegenüber transienten Einschaltstoßströmen (IFSM). Dies reduziert die Notwendigkeit zusätzlicher Schutzschaltungen, vereinfacht das Systemdesign und ermöglicht kompaktere Lösungen mit hoher Effizienz für robuste Hochspannungsanwendungen.
Angeboten werden die neuen Dioden in Real-2-Pin Gehäusen für Oberflächen- (SMD) oder Durchsteck-Montage (THT): Die PSC20120J ist in einem D2PAK R2P (TO-263-2) SMD-Kunststoffgehäuse untergebracht, während die PSC20120L ein TO247 R2P (TO-247-2) THT-Gehäuse nutzt. Beide Gehäusevarianten zeichnen sich durch hohe thermische Stabilität und Zuverlässigkeit bei Betriebstemperaturen von bis zu 175 °C aus – entscheidend für langlebige Hochspannungsanwendungen.