IGBTs
Die vierte IGBT-Generation
Fortsetzung des Artikels von Teil 2
Literatur & Autor
[1] Bäßler, M.; Kanschat, P.; Ciliox, A.; Umbach, F.; Schaeffer, C.; Hille, F.: 1200V IGBT4-High Power – a new Technology Gerneration with Optimized Characteristics for High Current Modules. PCIM Europe 2006.
[2] Bäßler, M.; Kanschat, P.; Ciliox, A.; Umbach, F.; Schaeffer, C.: IGBT4 – A new Generation with Optimised Characteristics for High Current Modules. Power Electronics Europe, Issue 5, August 2006.
[3] Volke, A.; Bäßler, M.; Umbach, F.; Hille, F.; Rusche, W.; Hornkamp, M.: The new power semiconductor generation: 1200V IGBT4 and EmCon4 Diode. IEEE 2006.
[4] Produkte und Lösungen von Infineon: www.infineon.com
[5] Rusche, W.: Characteristic differences between 1200V IGBT3 modules of E3 and T3 series. Infineon Application Note.
[6] Bäßler, M.; Kanschat, P.; Ciliox, A.; Umbach, F.; Schaeffer, C.; Hille, F.: 1200V IGBT4 Low and Medium Power – Chips designed to the needs of the application. PCIM 2007.
[7] Rusche, W.; Lübke, C.; Münzer, M.: Switching behaviour and optimal driving of IGBT3 modules. Infineon Application Note.
[8] Pfirsch, F.; Bayerer, R.: MOS-gesteuerte Leistungsschalter: Konzepte und Schaltverhalten. VDE Kongress Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendung 2006, Bad Nauheim.
[9] Kanschat, P.; Stolze, T.; Passe, T.; Rüthing, H.; Umbach, F.; Hellmund, O.: 600V IGBT3 – Technology in New Low Cost Modules for Consumer Drives Applications. PCIM 2003, Nürnberg.
[10] Kanschat, P.; Rüthing, H.; Umbach, F.; Hille, F.: 600V IGBT3: A detailed Analysis of Outstanding Stativ and Dynamic Properties. PCIM 2004, Nürnberg.
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Dipl.-Ing (FH) Wilhelm Rusche studierte Elektrotechnik an der Gesamthochschule Paderborn. Seit 2002 arbeitet er im technischen Marketing bei der Infineon Technologies AG in Warstein. Hier ist er zuständig für die technische Produktbetreuung und Anwendungsunterstützung für IGBT-Module sowie für die Definition und Spezifikation neuer 1200-V-IGBT-Bauelemente. |
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- Schaltverhalten und Schaltverluste der IGBTs
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