Infineon

Erste serielle Automotive-FRAMs bis 4 Mb

17. Juli 2023, 15:03 Uhr | Heinz Arnold
Die Automotive-FRAMs mit einer Kapazität von 1 Mb (CY15B201QN-50SXE) und 4 Mb (CY15B204QN-40SXE) fertigt Infineon ab sofort in Serienstückzahlen und erwartet die Freigabe der Quad-SPI-Interface-Version beider Bauteile bis Ende 2023.
© Infneon

Infineon hat die ersten seriellen FRAMs auf den Markt gebracht, die zur Ereignisdatenspeicherung in Autos ausgelegt sind. Die neuen 1-Mb- und 4-Mb-FRAMs arbeiten bei Temperaturen von -40 bis 125 °C.

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Die neuen Speicher der EXCELON-FRAM-Familie sind nach AEC-Q100 Grade 1 qualifiziert und ergänzen das Portfolio an FRAM-Produkten von Infineon für den Automotive-Bereich, das FRAMs mit Speicherdichten von 4-Kb- bis zu 16 Mb umfasst. Die Speicher zeichnen sich durch eine schnelle und zuverlässige Lese-/Schreibleistung mit Geschwindigkeiten von bis zu 50 MHz im SPI-Modus und bis zu 108 MHz im Quad SPI (QSPI)-Modus aus. Außerdem verfügen sie über eine Ausdauer von 10 Billionen Lese-/Schreibzyklen, was Datenprotokollierung in Intervallen von 10 µs über 20 Jahre hinweg ermöglicht.

»Die Anforderungen an die Datenaufzeichnung in der Automobil-Industrie steigen rapide. Gründe dafür sind zum einen der Trend zum verstärkten Einsatz elektronischer Systeme und zum anderen Branchenvorschriften, die die Verwendung hochzuverlässiger nichtflüchtiger Speicher in Airbag-Sicherheitssystemen, Motorsteuerungen- und Batteriemanagementsystemen erfordern«, sagt Ramesh Chettuvetty, Vice President RAM Solutions bei Infineon. »Die Nachfrage nach Speicherdichten, die auf spezifische Anwendungsfälle zugeschnitten sind, ist mit der wachsenden Zahl von Anwendungen, die eine Datenerfassung erfordern, gestiegen.«

Die verzögerungsfreie Schreibfunktion des EXCELON FRAM ermöglicht die Erfassung und Aufzeichnung von Systemdaten bis unmittelbar vor einem Unfall oder einem vom Anwender definierten Auslöseereignis. Beide Speicher verwenden die serielle Schnittstelle (SPI/QSPI). Sie haben den für FRAM typischen außergewöhnlich niedrigen Stromverbrauch, arbeiten mit 1,8 V bis 3,6 V und sind in einem achtpoligen SOIC-Standardgehäuse untergebracht. Zusätzlich zu seiner Ausdauer ist der FRAM von Infineon so konzipiert, dass er Daten nach einem Stromausfall noch mehr als 100 Jahre lang speichert.

Die Automotive-FRAMs mit einer Kapazität von 1 Mb (CY15B201QN-50SXE) und 4 Mb (CY15B204QN-40SXE) fertigt Infineon ab sofort in Serienstückzahlen und erwartet die Freigabe der Quad-SPI-Interface-Version beider Bauteile bis Ende 2023.
 


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