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Herausforderung Supply Chain Management

Der Charakter der Zyklen könnte sich ändern

14. Februar 2020, 16:27 Uhr   |  Heinz Arnold

Der Charakter der Zyklen könnte sich ändern
© Samsung

Mit Hilfe eines 10-nm-Prozesses fertigt Samsung die acht DRAM Dies, die über Through Silicon Vias verbunden im neuen 16-GB-HBM2E-DRAM-Speicher sitzen.

Ist dieser Zyklus der erste einer neuen Ära? Einiges spricht dafür. Mit welchen Herausforderungen Samsung für dieses Jahr rechnet, erklärt Richard Walsh, Vice President Memory Marketing von Samsung, im Interview mit Markt&Technik.

Wir haben den Tiefpunkt im NAND-Bereich wohl schon im zweiten Quartal 2019 erreicht, im DRAM-Sektor dürfte der Tiefpunkt das vierte Quartal 2019 gewesen sein«, erklärt Richard Walsh, Vice President Memory Marketing von Samsung, und schätzt den Speichermarkt damit ganz ähnlich wie Dr. Reinhard Weigl von Micron ein (siehe Artikel auf S. 47). Auch er sieht kein Ende der Zyklen, hält diesen Zyklus aber für etwas Besonderes: »In diesem Zyklus hat Samsung zum ersten Mal in der Geschichte keinen Verlust gemacht, anderen Herstellern geht es ähnlich.« Was nicht heißt, dass alles nur halb so schlimm gewesen wäre: »Die erste Hälfte 2019 war sowohl für die DRAM- als auch für die NAND-Hersteller sehr unangenehm, eigentlich schlimmer als erwartet.« Denn der Absturz sei sehr steil und schmerzhaft gewesen. Jetzt aber ginge es – jedenfalls sprächen alle Anzeichen im Moment dafür – viel schneller als erwartet wieder nach oben.

Das sei ein Hinweis darauf, dass die Zyklen ihren Charakter ändern: Die Tendenz, dass sich die Frequenz erhöhe und die Amplituden zurückgingen, sei zu erkennen. Dafür seien äußere Effekte wie der Handelskrieg und Zölle verantwortlich, sowie auch viele kleinere „hausgemachte Störungen“. So fielen Entscheidungen der Betreiber von Datenzentren viel stärker ins Gewicht als früher. Denn die Datenzentren haben mittlerweile Größen erreicht, die riesige Mengen von Speichern schlucken. Wird eines gebaut, so kann das den Bedarf relativ plötzlich nach oben treiben, investiert ein Hersteller doch nicht, fällt der erwartete Bedarf plötzlich. Das könne doch zu merklichen Fluktuationen auf dem Gesamtmarkt führen.

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© Samsung

Richard Walsh, Vice President Memory Marketing von Samsung: »Verschiedene Anwendungsgebiete erfordern zunehmend speziell zugeschnittene Speicherfamilien. Für uns als Hersteller bedeutet das: Das Supply-Chain-Management wird immer anspruchsvoller.«

Was werden die treibenden Kräfte für den Speicherbedarf in diesem Jahr sein? Voraussichtlich wird viel Geld in den Aufbau der Infrastruktur für 5G fließen. Während China sich kaum am 4G-Roll-out beteiligt hatte, ist es jetzt bei 5G ganz vorne mit dabei. »Auch ein Grund, warum der 5G-Roll-out so schnell vonstatten geht«, so Walsh. Dahinter steckt auch das 5G-Wettrennen zwischen den USA und China.

Auch in 5G-Smartphones werden mehr Speicher wandern als in die Vorgängergenerationen. So sind im neuen S20, das Samsung demnächst auf den Markt bringt, 16 GB DRAM und mindestens 128 GB Flash verbaut. Wieviel Speicher-ICs in diesem Jahr tatsächlich in neue 5G-Smartphones wandern, sei laut Walsh allerdings schwer abzuschätzen. Samsung sei aber vorbereitet, in diesem Jahr werde die neue LP5-DRAM-Generation hochgefahren. Auf dem Sektor der NAND-Flash-Speicher wird Samsung in diesem Jahr erste Typen mit 128 Layern auf den Markt bringen.

Parallel dazu entwickelt sich aber auch KI schnell weiter, und dafür wird in diesem Jahr vor allem die Infrastruktur ausgebaut werden. Weil KI eine enorme Bandbreite benötige, erfordert das auch eine neue Generation von DRAM-Chips. Mit ihren HBM-Typen (High Bandwidth Memory) erreicht Samsung bereits 350 GB/s über einen einzigen Chip. »Da liegen wir um 10 Prozent über den Industrie-Spezifikationen«, freut sich Walsh.

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