Foundry-Service für Optoelektronik
ams bietet spezielle CMOS-Prozessplattform
Erstmalig für Foundry-Kunden bietet ams ein erweitertes Prozessportfolio, das die Empfindlichkeit von optoelektronischen Hochleistungs-ICs bei gleichzeitiger Reduktion der Baugröße verbessern soll.
Der Geschäftsbereich Full Service Foundry von ams hat seine 0,35-µm-CMOS-Prozessplattform für optoelektronische ICs erweitert. Damit möchte das Unternehmen Chipdesignern die Verwendung von zusätzlichen Schaltungselementen mit höherer Empfindlichkeit und Genauigkeit sowie mehr Flexibilität bei optischen Filtern ermöglichen. Diese Plattform ist ein zusätzliches Angebot zur bisherigen Service- und Produktpalette »More than Silicon« von ams, unter der das Unternehmen ein Paket von Technologiemodulen, IP-Blöcken, Zellbibliotheken sowie technische Beratungs- und Serviceleistungen anbietet.
Auf Chipebene bietet ams seinen Foundry-Kunden nun Zugang zu speziellen pn-Dioden mit verbesserter Empfindlichkeit bei kundenspezifischen Wellenlängen (von blau bis nahem Infrarot) und minimiertem Dunkelstrom sowie eine PIN-Diode, die eine sehr niedrige Kapazität mit hohem Quantenwirkungsgrad kombiniert.
Nach erfolgter Waferproduktion kann die Leistungsfähigkeit von optoelektronischen Bauteilen durch Aufbringen unterschiedlicher Beschichtungen weiter verbessert werden. Hierzu hat ams Entspiegelungsschichten (ARC, anti-reflective coating) und Interferenzfilter entwickelt. Sie werden in Form mehrerer Schichten hochtransparenter Oxide aufgetragen und erlauben es, sehr genauer Hoch-, Tief- und Bandpässe (beispielsweise zum Blockieren von Infrarot oder ultraviolettem Licht) oder Spiegel mit präzisem Reflexionsgrad zu fertigen. Filterparameter wie etwa Wellenlänge und Flankensteilheit können Foundry-Kunden laut ams weitestgehend selbst bestimmen. Für bestimmte Wellenlängen optimierte farbige Beschichtungen (rot, grün, blau) erhöhen die Leistungsfähigkeit lichtempfindlicher Geräte.
Kostengünstige durchsichtige Kunststoffgehäuse (substratbasiert oder Lead-Frame-basiert) sind für ICs mit einer niedrigen Anzahl von Pins verfügbar. Eine weitere Verbesserung in der Gehäusetechnologie sind 3D-WLCSP Gehäuse. In Kombination mit einer proprietären Technologie zur Silizium-Durchkontaktierung (TSV, Through Silicon Via) erlauben diese Gehäusetypen Optimierungen bezüglich Durchlässigkeit, relativer Feuchtigkeit und Temperaturbereich sowie auch bei einer hohen Anzahl von Pins.
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