Alliance Memory
0,6-V-16- und -32- Gb-SDRAMs mit 4,2 Gb/s
Die neuen 16-Gb- und 32-Gb-LPDDR4X SDRAMs kombinieren den Niederspannungsbetrieb an 0,6 V mit schnellen Taktraten von 2,133 GHz und hohen Datenraten von 4,2 Gb/s.
Damit erhöhen die SDRAMs im 200-Ball-FBGA-Gehäuse die Energieeffizienz und Leistung in Consumer-, kommerziellen und industriellen Anwendungen und verlängern die Batterielebensdauer in tragbaren Elektronikgeräten, darunter Smartphones, Smart Speaker, Sicherheitsüberwachungssysteme und andere IoT-Geräte, die AI- und 5G-Technologien nutzen.
Die LPDDR4X-SDRAMs bieten eine höhere Effizienz für fortschrittliches Audio und ultrahochauflösendes Video in eingebetteten Anwendungen und liefern hohe Taktfrequenzen von 2,133 GHz für hohe Datenraten von 4,2 Gbit/s. Die Bausteine bieten eine 32-Bit-Busbreite und arbeiten über einen industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis +95 °C.
Die 16-Gb-DRSMs vom Typ »AS4C512M32MD4V-046BIN«- und die 32-Gb-DRAMs vom Typ »AS4C1G32MD4V-046BIN« sind zu 512 b x 32 b nd zu 1 G x 32 b organisiert. Sie bieten einen vollsynchronen Betrieb, programmierbare Lese- und Schreib-Burst-Längen von 16 b, 32 b sowie eine konfigurierbare Treiberstärke. Ein On-Chip-Temperatursensor steuert die Self-Refresh-Rate.
Die LPDDR4X-SDRAMs von Alliance Memory sind ein zuverlässiger, Pin-für-Pin-kompatibler Ersatz, wodurch kostspielige Redesigns und Neuqualifizierungen von Bauteilen überflüssig werden.
Die neuen LPDDR4X SDRAMs stehen ab sofort in Mustern und Produktionsstückzahlen zur Verfügung, die Lieferzeit beträgt zwölf Wochen.
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