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Kabel für Sensor-Applikationen

Ermöglichen höchste Messgenauigkeiten

11. April 2016, 10:43 Uhr | Alfred Goldbacher

Spezielle Triaxialkabel von HEW-Kabel

Damit die Messergebnisse der kapazitiven Sensoren von Micro-Epsilon nicht durch Störeinflüsse beeinträchtigt werden, kommen spezielle Triaxialkabel von HEW-Kabel zum Einsatz. Dank ihres Aufbaus und der Kombination zweier Teflon Fluorkunststoffe besitzen die Kabel sehr gute elektrische Eigenschaften.

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Besonderes Merkmal dieser Kabel ist die Bandierung. HEW-Kabel hat dafür eigens eine hoch leitfähige PTFE-Folie entwickelt, da herkömmliche, auf dem Markt erhältliche Folien nicht die erforderliche Qualität in Verbindung mit hoher Leitfähigkeit besaßen. Als Basismaterial kommt Teflon 669N X von Chemours zum Einsatz. Entscheidend für die Wahl dieses Werkstoffs waren seine gute Compoundierbarkeit und Verarbeitbarkeit. Zudem verfügt der Werkstoff selbst bei hohen Anteilen an leitfähigen Additiven über gute mechanische Eigenschaften und lässt sich maschinell abisolieren.

Für die Isolation und die Mäntel verwendet HEW-Kabel den Fluorkunststoff Teflon FEP 100 X von Chemours, ein schmelzeextrudierbares Copolymer aus Tetrafluorethylen und Hexafluorpropylen. Das Material ist frei von Additiven, besitzt eine sehr hohe chemische und Temperaturbeständigkeit, gute elektrische Eigenschaften wie eine geringe relative Permittivität sowie - besonders für Anwendungen im Vakuum oder Reinraum entscheidend - eine geringe Ausgasung. Dank der sehr guten Verarbeitbarkeit von Teflon FEP 100 X wiederum lassen sich Isolierungen und Dielektrika mit geringen Wandstärken und sehr kleinen Durchmessern realisieren.

Kapazitive Sensoren sind bei Wafer-Dickenmessungen im Einsatz

Ein Anwendungsbeispiel für die kapazitiven Sensoren von Micro-Epsilon ist ein System zur Messung der Dicke von Silizium-Wafern für die Produktion von Photovoltaik-Zellen oder Halbleitern. Die Wafer werden auf Keiligkeit und Ebenheit vermessen. Nach dem Sägen werden die Wafer aufwändig bearbeitet, um eine optimale Ebenheit zu erzielen. Bei Halbleiter-Wafern mit einer Dicke von beispielsweise 900 µm muss die Ebenheit im Bereich von unter 5 nm liegen. Die Wafer müssen während der stufenweisen Bearbeitung vom Läppen über das Ätzen bis zum Polieren mehrfach überprüft werden.