Produkt

Leistungsmodule

Bond-Wireless-Verbindungen

Höhere Leistungsdichte in der Automobilelektronik

Bond-Wireless-Verbindungen ersetzen in SMD-Leistungshalbleitergehäusen zunehmend die klassischen Aluminium-Bonddrähte im Gehäuseaufbau. Oberseitig gekühlte PowerPak-Gehäuse erleichtern die Abführung der Abwärme nach oben zum Kühlkörper. Gullwing-Anschlüsse sorgen zudem für maximale Zugentlastung.

Integrations-Roadmap / Expansion bei EPC

»Wir erhöhen den Wettbewerbsdruck für Niederspannungs-FETs«

Mit einer Integrations-Roadmap und einer geplanten Erweiterung der Kapazitäten...

Technischen Universität Chemnitz

Gehäuse für SiC-MOSFETs aus dem 3D-Drucker schaffen +300 °C

Forschende der TU Chemnitz haben Gehäuse für Leistungshalbleiter additiv in einem...

SiC-Technik für die Auto-Industrie

Siliziumkarbid-Kooperation zwischen Semikron und Rohm

Schon seit mehreren Jahren implementieren Semikron und Rohm Semiconductor gemeinsam...

Marktanalyse von TrendForce

Umsatz bei Siliziumkarbid vervierfacht sich in vier Jahren

Bereits in diesem Jahr soll der Umsatz bei SiC-Halbleitern die Marke von 1 Milliarde...

Renault und Vitesco

Kooperation bei Leistungselektronik für E- und Hybridantriebe

Die Renault Group und Vitesco Technologies wollen bei der Entwicklung von...

Podiumsdiskussion auf der PCIM Europe

Auswege aus der MOSFET-Krise

Aktuell fehlen nicht nur Mikrocontroller, auch Leistungshalbleiter sind Mangelware. Vor...

Panel Discussion at PCIM Europe 2022

Solutions for the MOSFET Shortage

Currently, there is not only a shortage of microcontrollers, but also of power...

Interview: Dr. John Palmour, Wolfspeed

»Thema Die Shrink noch lange nicht ausgereizt«

Als Mitbegründer von Wolfspeed, ehemals Cree, hat sich Dr. John Palmour von Anfang an...

Hohe Leistungsdichte für EV-Anwendungen

Diodes-MOSFETs im PowerDI8080-Gehäuse

Mit dem PowerDI8080-5 bringt Diodes ein neues, für hohe Ströme taugliches,...