Produkt

Leistungsmodule

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

Zu teuer, zu unzuverlässig – mit diesen beiden Vorurteilen zum Einsatz von GaN-Leistungshalbleitern räumt Dr. Denis Marcon, General Manager bei Innoscience Europe, auf. Preislich ist GaN wettbewerbsfähig mit Silizium-Produkten, und bei richtiger Implementierung ist es auch sehr zuverlässig.

Hochlastdraht versus Power Film

Zwei Widerstandstechnologien im Vergleich

Typische Widerstände, die in der Leistungselektronik sowie in Wechselrichterschaltungen...

Bourns neue IGBT-Generation

Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen

Mit der steigenden Konzentration auf die Betriebseffizienz von Elektromotoren für alle...

Opto-Emulatoren für Hochvolt-Anwendungen

Wie Optokoppler, nur deutlich besser

Texas Instruments (TI) hat mit den sogenannten Opto-Emulatoren eine neue Art von...

SiC-Technologie für schnelles Schalten

Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen

Onsemi hat seine SiC-MOSFETs der EliteSiC-M3S-Technologie auf die Anforderungen...

Globaler Leistungshalbleiter-Bedarf

Wettlauf um den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Mit Milliardeninvestitionen in ihre Fertigungskapazitäten versuchen...

Traktionswechselrichter-Anwendungen

LEM-Stromsensor für 800-V-Leistungsmodule

Mit dem HAH3DR S07/SP42 stellt LEM einen kompakten Stromsensor für...

650 V CoolMOS CFD7A im QDPAK-Gehäuse

Energieeffizientes Schnellladen von Elektrofahrzeugen

Für leistungsstarke Ladesysteme für Elektroautos ist auch eine kosteneffiziente und...

Forschungsprojekt PROGRESSUS

Größere Resilienz der Stromnetze für mehr grüne Energie

Mit einem intelligenten Management von Stromlasten und -quellen können die bestehenden...

Oberseitig gekühlte MOSFETs

Höhere Leistungsdichte statt Überhitzung

MOSFETs, die ihre entstehende Abwärme direkt an einen Kühlkörper abgeben, erzeugen...