Sanan Semiconductor
Fokus auf die Automobilindustrie
Auf der PCIM stellt Sanan Semiconductor eine ganze Reihe AEC-Q101-zertifizierter Neuheiten im Bereich Siliziumkarbid-Applikationen vor.
So werden beispielsweise zwei neue Generationen von SiC-MOSFETs vorgestellt: planare SiC-MOSFETs der zweiten Generation sowie Trench-SiC-MOSFETs der dritten Generation. Hier setzt Sanan auf besonders dünne SiC-Wafer von nur 120 µm Dicke, um hohe Stromdichten bei sehr geringen Verlusten zu erreichen. Gezeigt werden auch neue Schottky-Barrier-Dioden auf SiC-Basis in vierter und fünfter Generation, konzipiert für allgemeine und anspruchsvolle Anwendungen im Power-Bereich. Sanan Semiconductor setzt auf eine vertikale Wertschöpfung; das Unternehmen führt alle Prozessschritte von der Herstellung des Wafersubstrats über die Chipfertigung bis hin zur Gehäusetechnologie selbst durch.
Halle 9, Stand 248