Produkt

Leistungsmodule

Angriff auf SiC- und GaN-Domäne

Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an

Es wäre ein Paukenschlag: Infineon Technologies wird einen diskreten 400-V-SiC-MOSFET auf den Markt bringen und damit in direkte Konkurrenz zu klassischen Silizum- und GaN-Leistungshalbleitern treten. Damit würden neue Anwendungsbereiche von den…

onsemi

Leistungsmodule mit höherer Effizienz und Leistungsdichte

Die SPM31 Intelligent Power Modules (IPM) von onsemi erlauben eine effizientere…

Infineon kooperiert mit Sinexcel

Ziel: Energiespeicher effizienter machen

Infineon Technologies und Sinexcel Electric, Anbieter von Stromversorgungssystemen und…

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

Zu teuer, zu unzuverlässig – mit diesen beiden Vorurteilen zum Einsatz von…

Hochlastdraht versus Power Film

Zwei Widerstandstechnologien im Vergleich

Typische Widerstände, die in der Leistungselektronik sowie in Wechselrichterschaltungen…

Bourns neue IGBT-Generation

Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen

Mit der steigenden Konzentration auf die Betriebseffizienz von Elektromotoren für alle…

Opto-Emulatoren für Hochvolt-Anwendungen

Wie Optokoppler, nur deutlich besser

Texas Instruments (TI) hat mit den sogenannten Opto-Emulatoren eine neue Art von…

SiC-Technologie für schnelles Schalten

Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen

Onsemi hat seine SiC-MOSFETs der EliteSiC-M3S-Technologie auf die Anforderungen schneller…

Globaler Leistungshalbleiter-Bedarf

Wettlauf um den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Mit Milliardeninvestitionen in ihre Fertigungskapazitäten versuchen…

Traktionswechselrichter-Anwendungen

LEM-Stromsensor für 800-V-Leistungsmodule

Mit dem HAH3DR S07/SP42 stellt LEM einen kompakten Stromsensor für…