Produkt

EBV Elektronik bringt den ersten EBVchip auf den…

»Genesis ist erst der Anfang einer neuen Chip-Welt«

Mit dem IGBT-Modul »Genesis« läutet EBV die Geburtsstunde seiner EBVchips ein: Der Leistungsbaustein für Photovoltaik-Anlagen wandelt in den Invertern die erzeugte Gleichspannung in Wechselspannung. Entwickelt hat EBV den Chip gemeinsam mit Vishay.…

PWM-Controller plus MOSFET

GaN-Leistungshalbleiter verfügbar

International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…

DC/DC-Regler-IC

Bis zu 4 A für digitale Schaltkreise

Mit dem »AOZ1110« aus der »EZBuck«-Serie von AOS lassen sich DSPs, FPGAs und…

Wafer aus Galliumnitrid

Soitec und Sumitomo Electric machen GaN günstig

Ein großes Problem bei GaN-Substraten sind die Kosten. Durch ein neues Verfahren möchten…

Für regenerative Energieerzeugung und…

BMBF steckt 2,8 Mio. Euro in GaN

Das BMBF hat knapp 2,8 Mio. Euro über einen Zeitraum von drei Jahren für das…

Siliziumkarbid

Power Integrations beteiligt sich an Start-up für Leistungshalbleiter

30 Millionen Dollar investiert Power Integrations in die SemiSouth Laboratories, Inc.,…

IGBT-Stack-Technologie

Infineon und Goldwind schließen Lizenzabkommen

Infineon und Xinjiang Goldwind Science and Technology, chinesischer Spezialist für die…

Infineon Technologies/Goldwind

Lizenzabkommen über IGBT-Stack-Technologie

Infineon Technologies und Xinjiang Goldwind Science and Technology, chinesischer…

Schottky-Diode

600-V-GaN-Bauteil von microGaN und Diotec leitet 4 A

Gemeinsam haben microGaN und Diotec eine Schottky-Diode aus dem Halbleitermaterial…

Leistungsdioden

SemiSouth bietet SiC-Schottky-Dioden bis 30 A

Mit der »SDP30S120« hat SemiSouth eine Siliziumkarbid-Diode für 1200 V Sperrspannung und…