Produkt

Schottky-Dioden

SiC-Bausteine im voll isolierten Gehäuse

Die zweite Generation SiC-Schottky-Dioden der Baureihe »ThinQ!« hat Infineon in ein voll isoliertes TO-220-FullPAK-Gehäuse gepackt. Das soll die Montage einfacher und zuverlässiger machen, Isolationsdurchführung und -folie sind nicht mehr nötig.

SMD-Gehäuse

Infineon stellt neues Gehäuse für HV-MOSFETs vor

Mit dem ThinPAK 8x8 stellt Infineon ein neues SMD-Gehäuse ohne Anschluss-Pins für…

Treiber-Kerne statt diskrete Lösungen

Steuerung von IGBTs

Sind IGBTs als Kreuzung aus MOSFET und Bipolartransistor genügsame, gutmütige und einfach…

Leistungshalbleiter

GaN ist endlich da

Wegen des stetig zunehmenden Einsatzes elektronischer Systeme und dem entsprechend…

Leistungselektronik Mekka

PCIM 2010: Gute Aussichten für Messe und Kongress

Knapp drei Monate vor Beginn der PCIM Europe 2010, der internationalen Messe und Konferenz…

International Rectifier

GaN-Leistungsbausteine endlich verfügbar

Nun hat International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…

Thyristor mit integrierter Freilaufdiode

Mit dem CRD5CM hat Renesas einen Thyristor zum Einsatz in Spannungsreglern für Zweiräder…

Leistungs-MOSFETs mit niedrigem On-Widerstand

NEC Electronics Europe hat unter der Produktbezeichnung NP180N04TUJ bzw. NP180N055TUJ neue…

Entwicklungspraxis

Die Auswahl eines Gate-Treiber-ICs für MOSFETs

Bei Anwendungen mit hoher Leistung steuern üblicherweise Treiber-ICs die MOSFET-Brücken.…

Besser durch Siliziumkarbid

Wirkungsgrad einer PFC-Stufe verbessern

Seit Jahren ist eine aktive PFC-Stufe in vielen Netzteilen eingebaut. Leider verursacht…