Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

MSC

Power-MOSFETs für hocheffiziente Gleichstromwandler

Ein um 40 Prozent verringerter FOM-Wert (Figure of Merit) zeichnet die drei neuen Power-MOSFETs von Renesas Electronics gegenüber ihren Vorgängern aus. Die Bausteine RJK0210DPA, RJK0211DPA und RJK0212DPA sind ab sofort bei MSC in Musterstückzahlen…

Der Einsatz von Power-Management-ICs und…

Bevölkerungs- und Wohlstandswachstum treiben den Energieeffizienz-Gedanken voran

Mit der Erholung der Weltkonjunktur steigt auch ihr Energiebedarf wieder an. Wachsender…

Renesas

MOSFETs für maximale Ströme von bis zu 75 A

Renesas Electronics hat sieben neue, in einem platzsparenden 8-pin-HSON-Gehäuse…

Energiezähler

TQ-Systems steigt in das Smart-Metering-Geschäft ein

Mit der Mehrheitsbeteiligung an dem Smart-Metering-Spezialisten IEQualize sichert sich…

Diskrete Bauelemente

NXP entwickelt neues Gehäuse

Trotz aller Integration – diskrete Bauelemente werden weiterhin benötigt, insbesondere, um…

Power-MOSFETs

Neue 25-V-Bausteine von Renesas Electronics steigern FOM um 40 Prozent

Für den Einsatz in DC/DC-Wandlern hat Renesas Electronics die MOSFETs der Serie…

Wahl der richtigen Regelstrategie

Geschönte Lebensdauer bei Lastwechseltests?

Aktive Lastwechseltests sind ein wichtiges Hilfsmittel zur Bewertung der Zuverlässigkeit…

Renesas Electronics

Power MOSFET Produkte im 8-Pin-HSON-Gehäuse

Renesas Electronics hat sieben neue Metalloxid-Feldeffekt-Leistungstransistorprodukte…

Infineon Technologies

30-V-MOSFETs liefern 180 A bei niedrigstem Durchlasswiderstand

Infineon Technologies bietet 30-V-MOSFETs mit einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand für…

Vishay

Fotodioden/-transistoren für sichtbares Licht und Nah-Infrarot-Strahlung

Vishay Intertechnology, Inc. hat mit den PIN-Fotodioden VEMD25x0X01 und…