Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Für regenerative Energieerzeugung und…

BMBF steckt 2,8 Mio. Euro in GaN

Das BMBF hat knapp 2,8 Mio. Euro über einen Zeitraum von drei Jahren für das Verbundprojekt »Power GaN Plus« unter Federführung des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF in Freiburg bewilligt. Galliumnitrid (GaN) ist eine…

Siliziumkarbid

Power Integrations beteiligt sich an Start-up für Leistungshalbleiter

30 Millionen Dollar investiert Power Integrations in die SemiSouth Laboratories, Inc.,…

IGBT-Stack-Technologie

Infineon und Goldwind schließen Lizenzabkommen

Infineon und Xinjiang Goldwind Science and Technology, chinesischer Spezialist für die…

Infineon Technologies/Goldwind

Lizenzabkommen über IGBT-Stack-Technologie

Infineon Technologies und Xinjiang Goldwind Science and Technology, chinesischer…

Schottky-Diode

600-V-GaN-Bauteil von microGaN und Diotec leitet 4 A

Gemeinsam haben microGaN und Diotec eine Schottky-Diode aus dem Halbleitermaterial…

Leistungsdioden

SemiSouth bietet SiC-Schottky-Dioden bis 30 A

Mit der »SDP30S120« hat SemiSouth eine Siliziumkarbid-Diode für 1200 V Sperrspannung und…

MSC

Power-MOSFETs für hocheffiziente Gleichstromwandler

Ein um 40 Prozent verringerter FOM-Wert (Figure of Merit) zeichnet die drei neuen…

Der Einsatz von Power-Management-ICs und…

Bevölkerungs- und Wohlstandswachstum treiben den Energieeffizienz-Gedanken voran

Mit der Erholung der Weltkonjunktur steigt auch ihr Energiebedarf wieder an. Wachsender…

Renesas

MOSFETs für maximale Ströme von bis zu 75 A

Renesas Electronics hat sieben neue, in einem platzsparenden 8-pin-HSON-Gehäuse…

Energiezähler

TQ-Systems steigt in das Smart-Metering-Geschäft ein

Mit der Mehrheitsbeteiligung an dem Smart-Metering-Spezialisten IEQualize sichert sich…