Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

20-V-, 25-V- und 30-V-MOSFETs

Geringste Durchschaltwiderstandswerte

International Rectifier brachte mit dem IRFH6200TRPbF einen HEXFET-Leistungs-MOSFET auf den Markt, der mit einem RDS(on)-Wert von 1,2 mOhm (max.) bei 4,5 V Gate-Source-Spannung ausgewiesen ist.

N-Kanal-MOSFET-Treiber

Kann Ströme bis 3,2 A liefern

Linear Technologys LTC4449, ein schneller Synchron-MOSFET-Treiber zur Ansteuerung von…

Kleinsignal-MOSFET

Für Aufwärtsregler in der LED-Hintergrundbeleuchtung

Toshiba Electronics Europe erweiterte sein Angebot an Kleinssignal-MOSFETs (S-MOS) mit dem…

Für DC/DC-Wandler

MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen

Toshiba erweitert sein Angebot an Kleinssignal-MOSFETs (S-MOS) mit einem neuen MOSFET in…

MOSFETs

Für einen niedrigen Einschaltwiderstand

International Rectifier (IR) bringt seine erste, speziell für den Automotive-Einsatz…

Kommentar

Niemand will Smart-Meter

Die Halbleiter-Industrie zählt auf den Erfolg der Smart-Meter, aber die potenziellen…

IGBTs

Bis 100 kHz schnell schalten

Mit der dritten Generation an schnellen IGBTs von Infineon Technologies, sollen hart…

MOSFETs

Robust schaltende 900-V-MOSFETs

Mit der Baureihe Polar-HiPerFETTM hat Ixys 900-V-MOSFETs entwickelt, die in verschiedenen…

Schottky-Dioden

SiC-Bausteine im voll isolierten Gehäuse

Die zweite Generation SiC-Schottky-Dioden der Baureihe »ThinQ!« hat Infineon in ein voll…

SMD-Gehäuse

Infineon stellt neues Gehäuse für HV-MOSFETs vor

Mit dem ThinPAK 8x8 stellt Infineon ein neues SMD-Gehäuse ohne Anschluss-Pins für…