Wafer aus Galliumnitrid
Soitec und Sumitomo Electric machen GaN günstig
Ein großes Problem bei GaN-Substraten sind die Kosten. Durch ein neues Verfahren möchten Soitec und Sumitomo Electric das ändern.
Die Firma Sumitomo Electric fertigt GaN-Wafer, die aber recht kostspielig sind. In einem Verfahren namens »Smart Cut« von Soitec werden daraus ultradünne GaN-Schichten abgetrennt und auf einen günstigen Carrier-Wafer übertragen. Die neuen Substrate behalten nach Firmenaussage die ursprüngliche, hohe Qualität des GaN-Wafer von Sumitomo Electric bei – allerdings zu geringeren Kosten. Diese Technologie könnte deshalb die Verwendung von GaN-Substraten in Anwendungen wie High-Brightness-LEDs sowie Leistungshalbleiter für Hybrid- und Elektrofahrzeuge befeuern.
Vorstellen kann man sich das Verfahren wie das Aufbauen einer Schichttorte. Zunächst wird der GaN-Wafer auf den Träger-Wafer aufgebondet. Anschließend sägt man das überschüssige GaN-Material herunter, um damit dann den nächsten Träger-Wafer zu »belegen«. So kann ein einziger GaN-Wafer in mehreren dünnen Scheiben auf mehrere Träger-Wafer aufgebracht werden.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
