Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Renesas

MOSFETs für maximale Ströme von bis zu 75 A

Renesas Electronics hat sieben neue, in einem platzsparenden 8-pin-HSON-Gehäuse untergebrachte n-Kanal- und p-Kanal-Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die Ströme von bis zu 75 A schalten können.

Energiezähler

TQ-Systems steigt in das Smart-Metering-Geschäft ein

Mit der Mehrheitsbeteiligung an dem Smart-Metering-Spezialisten IEQualize sichert sich…

Diskrete Bauelemente

NXP entwickelt neues Gehäuse

Trotz aller Integration – diskrete Bauelemente werden weiterhin benötigt, insbesondere, um…

Power-MOSFETs

Neue 25-V-Bausteine von Renesas Electronics steigern FOM um 40 Prozent

Für den Einsatz in DC/DC-Wandlern hat Renesas Electronics die MOSFETs der Serie…

Wahl der richtigen Regelstrategie

Geschönte Lebensdauer bei Lastwechseltests?

Aktive Lastwechseltests sind ein wichtiges Hilfsmittel zur Bewertung der Zuverlässigkeit…

Renesas Electronics

Power MOSFET Produkte im 8-Pin-HSON-Gehäuse

Renesas Electronics hat sieben neue Metalloxid-Feldeffekt-Leistungstransistorprodukte…

Infineon Technologies

30-V-MOSFETs liefern 180 A bei niedrigstem Durchlasswiderstand

Infineon Technologies bietet 30-V-MOSFETs mit einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand für…

Vishay

Fotodioden/-transistoren für sichtbares Licht und Nah-Infrarot-Strahlung

Vishay Intertechnology, Inc. hat mit den PIN-Fotodioden VEMD25x0X01 und…

Power-MOSFETs

International Rectifier: »HEXFET«-Bausteine für 40 V bis 250 V

Da 15 neue »HEXFETs« hinzugekommen sind, kann International Rectifier nun bietet eine…

IGBT-Module

Sperrschichttemperatur bis +200 °C

Um die Lebensdauer von IGBT-Modulen zu erhöhen, muss die Verbindungstechnik verbessert…