Produkt

90 Prozent Wirkungsgrad bei 15 A

TI: Halbbrücke auf 3 x 3 mm Grundfläche

Die neue MOSFET-Halbbrücke auf Basis der NexFET-Power-Block-Technik von Texas Instruments sitzt in einem SON-Gehäuse mit einer Grundfläche von 3 mm × 3 mm. Ohne Luftstrom steigt die Temperatur bei 15 A um nur 35 °C.

Smart-Metering

Wireless-M-Bus, Powerline und der MSP430 im Zusammenspiel

Die Daten die beim Smart-Metering anfallen müssen auch irgendwie und möglichst…

Leistungshalbleiter

Cree: 1200-V-Schottky-Diode aus SiC im D-Pak-Gehäuse

Für 5 A bei einer Sperrspannung von 1200 V spezifiziert ist die Schottky-Diode »C2D05120E«…

40 Prozent weniger Montagefläche

MSC: MOSFET mit 30 pA Leckstrom

Eine Ausgangskapazität von 0,75 pF und ein Leckstrom von lediglich 30 pA zeichnen den…

Keine Entspannung der Lieferkette im…

Rennen zwischen SiC-MOSFET und SiC-JFET weiter offen

Book-to-Bill-Raten von über 1 sprechen eine deutliche Sprache: Mit einer Entspannung der…

ON Semiconductor

Leistungs-MOSFETs in kleinen Gehäusen

Sechs neue AEC-Q101-qualifizierte Logikpegel-Leistungs-MOSFETs im kleinen Flatlead-Gehäuse…

International Rectifier

Auto-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

Die neuen MOSFETs von International Rectifier, die in verschiedenen Ausführungen für…

Ersatz von Silizum-IGBTs

Cree: Erster 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFET

Cree, bislang als High-Brightness-LED-Pionier und Anbieter von Siliziumkarbid-Wafern und…

Expansion

CT-Concept eröffnet Vertriebsbüro in China

Um die Präsenz in im chinesischen Markt auszuweiten, hat CT-Concept Technologie in…

Power-MOSFET

Renesas präsentiert 600-V-Super-Junction-MOSFET

Mit dem »RJK60S5DPK« hat Renesas Electronics sein erstes Produkt aus einer Serie von…