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Leistungshalbleiter-ICs

Power-MOSFETs

Neue 25-V-Bausteine von Renesas Electronics steigern FOM um 40 Prozent

Für den Einsatz in DC/DC-Wandlern hat Renesas Electronics die MOSFETs der Serie »RJK021xDPA« vorgestellt. Diese 25-V-Bausteine haben eine FOM von höchstens 7,2 mΩ•nC, etwa 40 Prozent besser als die bisherigen MOSFETs des Herstellers.

Wahl der richtigen Regelstrategie

Geschönte Lebensdauer bei Lastwechseltests?

Aktive Lastwechseltests sind ein wichtiges Hilfsmittel zur Bewertung der Zuverlässigkeit…

Renesas Electronics

Power MOSFET Produkte im 8-Pin-HSON-Gehäuse

Renesas Electronics hat sieben neue Metalloxid-Feldeffekt-Leistungstransistorprodukte…

Infineon Technologies

30-V-MOSFETs liefern 180 A bei niedrigstem Durchlasswiderstand

Infineon Technologies bietet 30-V-MOSFETs mit einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand für…

Vishay

Fotodioden/-transistoren für sichtbares Licht und Nah-Infrarot-Strahlung

Vishay Intertechnology, Inc. hat mit den PIN-Fotodioden VEMD25x0X01 und…

Power-MOSFETs

International Rectifier: »HEXFET«-Bausteine für 40 V bis 250 V

Da 15 neue »HEXFETs« hinzugekommen sind, kann International Rectifier nun bietet eine…

IGBT-Module

Sperrschichttemperatur bis +200 °C

Um die Lebensdauer von IGBT-Modulen zu erhöhen, muss die Verbindungstechnik verbessert…

IGBT-Treiber

Prädestiniert für 17-mm-IGBT-Module

Der Scale-Plug&Play-IGBT-Treiber 2SP0115T von Concept eignet sich zur direkten Montage auf…

Video

SiC und GaN – mehr als nur für die Nische?

Siliziumkarbid oder Galliumnitrid? Welches dieser beiden neuen Halbleitermaterialien wird…

20-V-, 25-V- und 30-V-MOSFETs

Geringste Durchschaltwiderstandswerte

International Rectifier brachte mit dem IRFH6200TRPbF einen HEXFET-Leistungs-MOSFET auf…