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Infineon stiftet Lehrstuhl für leistungselektronische Systeme an der TU München

Infineon Technologies hat mit der Technischen Universität (TU) München einen Vertrag für die Stiftung eines Lehrstuhls abgeschlossen. Der Hersteller finanziert den Lehrstuhl für leistungselektronische Systeme zunächst über fünf Jahre mit vier…

Mehr als nur geringere Durchlasswiderstände und…

Maximale Effizienz in der Leistungselektronik durch Superjunction- und SiC-MOSFETs

Höherer Systemwirkungsgrad, geringere Wärmeentwicklung, reduzierter Leckstrom, verbesserte…

Avalanche-Fotodiode

Für den Nachweis einzelner Photonen

Das Unternehmen Laser Components bringt im Rahmen seiner SPP550-Serie eine neue…

SiC-Vertical-JFET

Vertikale Kanäle für mehr Leistung

SemiSouth hat zwei Sperrschicht-Transistoren auf Basis von Siliziumkarbid herausgebracht.

IGBT-Treiber

Für Umrichter bis 1,5 MW

Mit dem Skyper 42 bietet Semikron einen Treiber für IGBT-Module von 400 bis 2.000 A.

SiC-MOSFET

Leckstrom unter 1 µA

Cree hat eine Produktfamilie von Siliziumcarbid-MOSFETs unter dem Namen Z-FET auf den…

Amantys

Universeller Treiber für IGBT-Module

Jedes IGBT-Modul hat seine eigene Charakteristik, weshalb der IGBT-Treiber jeweils neu zu…

Entwicklungshilfe

SiC-JFETs korrekt ansteuern

Siliziumkarbid-JFETs sind eine neue Klasse an Leistungsschaltern, die ein wenig anders…

Drei Level steigern Wirkungsgrad

»Intelligente« Halbleitermodule für Umrichter

Vor fast drei Jahrzehnten wurde erstmals die 3-Level-Topologie für IBGT-Module…

Infineon Technologies

100 Prozent bleifreier Automotive-MOSFET

Bei den Leistungs-MOSFETs der OptiMOS-T2-Serie von Infineon Technologies erfolgt die…