Produkt

Leistungshalbleiter

Cree: 1200-V-Schottky-Diode aus SiC im D-Pak-Gehäuse

Für 5 A bei einer Sperrspannung von 1200 V spezifiziert ist die Schottky-Diode »C2D05120E« aus Siliziumkarbid von Cree. Zudem ist sie im oberflächenmontierbaren D-Pak-Gehäuse (TO-252) untergebracht.

40 Prozent weniger Montagefläche

MSC: MOSFET mit 30 pA Leckstrom

Eine Ausgangskapazität von 0,75 pF und ein Leckstrom von lediglich 30 pA zeichnen den…

Keine Entspannung der Lieferkette im…

Rennen zwischen SiC-MOSFET und SiC-JFET weiter offen

Book-to-Bill-Raten von über 1 sprechen eine deutliche Sprache: Mit einer Entspannung der…

ON Semiconductor

Leistungs-MOSFETs in kleinen Gehäusen

Sechs neue AEC-Q101-qualifizierte Logikpegel-Leistungs-MOSFETs im kleinen Flatlead-Gehäuse…

International Rectifier

Auto-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

Die neuen MOSFETs von International Rectifier, die in verschiedenen Ausführungen für…

Ersatz von Silizum-IGBTs

Cree: Erster 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFET

Cree, bislang als High-Brightness-LED-Pionier und Anbieter von Siliziumkarbid-Wafern und…

Expansion

CT-Concept eröffnet Vertriebsbüro in China

Um die Präsenz in im chinesischen Markt auszuweiten, hat CT-Concept Technologie in…

Power-MOSFET

Renesas präsentiert 600-V-Super-Junction-MOSFET

Mit dem »RJK60S5DPK« hat Renesas Electronics sein erstes Produkt aus einer Serie von…

EBV Elektronik bringt den ersten EBVchip auf den…

»Genesis ist erst der Anfang einer neuen Chip-Welt«

Mit dem IGBT-Modul »Genesis« läutet EBV die Geburtsstunde seiner EBVchips ein: Der…

PWM-Controller plus MOSFET

GaN-Leistungshalbleiter verfügbar

International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…