Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Siliziumkarbid

Power Integrations beteiligt sich an Start-up für Leistungshalbleiter

30 Millionen Dollar investiert Power Integrations in die SemiSouth Laboratories, Inc., eine Ausgründung der Mississippi State University, die SiC-Leistungshalbleiter entwickelt.

IGBT-Stack-Technologie

Infineon und Goldwind schließen Lizenzabkommen

Infineon und Xinjiang Goldwind Science and Technology, chinesischer Spezialist für die…

Infineon Technologies/Goldwind

Lizenzabkommen über IGBT-Stack-Technologie

Infineon Technologies und Xinjiang Goldwind Science and Technology, chinesischer…

Schottky-Diode

600-V-GaN-Bauteil von microGaN und Diotec leitet 4 A

Gemeinsam haben microGaN und Diotec eine Schottky-Diode aus dem Halbleitermaterial…

Leistungsdioden

SemiSouth bietet SiC-Schottky-Dioden bis 30 A

Mit der »SDP30S120« hat SemiSouth eine Siliziumkarbid-Diode für 1200 V Sperrspannung und…

MSC

Power-MOSFETs für hocheffiziente Gleichstromwandler

Ein um 40 Prozent verringerter FOM-Wert (Figure of Merit) zeichnet die drei neuen…

Der Einsatz von Power-Management-ICs und…

Bevölkerungs- und Wohlstandswachstum treiben den Energieeffizienz-Gedanken voran

Mit der Erholung der Weltkonjunktur steigt auch ihr Energiebedarf wieder an. Wachsender…

Renesas

MOSFETs für maximale Ströme von bis zu 75 A

Renesas Electronics hat sieben neue, in einem platzsparenden 8-pin-HSON-Gehäuse…

Energiezähler

TQ-Systems steigt in das Smart-Metering-Geschäft ein

Mit der Mehrheitsbeteiligung an dem Smart-Metering-Spezialisten IEQualize sichert sich…

Diskrete Bauelemente

NXP entwickelt neues Gehäuse

Trotz aller Integration – diskrete Bauelemente werden weiterhin benötigt, insbesondere, um…