Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Optimierung von Wechselrichterdesigns

Effizientere Solarumrichter

Die Neutral-Point-Clamp-Wechselrichtertopologie bietet eine Alternative zu den derzeit marktgängigen Halbbrücken- oder Vollbrückentopologien. Eine sorgfältige Auswahl von IGBTs mit niedrigeren Sperrspannungen, die von Natur aus durch geringere…

Schottkydioden aus Siliziumkarbid

Dünne Wafer machen SiC besser

Bei Leistungshalbleitern aus Silizium haben sich Dünnwafer bewährt. Mit dünneren Chips…

Leistungselektronik

Hauber & Graf vertreibt IGBT-Treiber von Wepower

Hauber & Graf ist ab sofort Vertriebspartner des chinesischen Anbieters Wepower…

»Bessere Effizienz bei weniger Systemkosten«

Mehr Power mit Siliziumkarbid

Mit den Transistoren und Dioden von SemiSouth auf Siliziumkarbid-Basis (SiC) hat der…

Packaging

Leistungselektronik in Leiterplatten einbetten

Das Einbetten von Leistungshalbleitern in Laminatmaterialien ermöglicht die Herstellung…

»Bessere Effizienz bei weniger Systemkosten«

MEV setzt auf Power mit Siliziumkarbid

Mit SemiSouth, Hersteller von Transistoren und Dioden auf Siliziumkarbid-Basis (SiC), hat…

Superjunction-MOSFETs

Hohe Leistungsdichte und geringe Schaltverluste für mehr Energieeffizienz im (Elektro-)Auto

Infineon Technologies ergänzt mit der Produktserie 650 V CoolMOS CFDA sein…

Mehr als 12 GaN-Anbieter im Jahr 2014

GaN-Transistorenmarkt erreicht 2019 die 1-Mrd.Dollar-Umsatzschwelle

Noch bewegt sich das Umsatzvolumen für GaN-Leistungstransistoren bei knapp 2,5 Mio. Dollar…

Taiwan Semiconductor: Dioden für kompakte…

Effiziente SMD-Gleichrichterdioden

Die neuen SMD-Gleichrichterdioden vom Typ GPAS100X hat Taiwan Semiconductor Europe für den…

Höhere Leistungsdichte

Infineons neue MOSFET-Generation in 40 V und 60 V

In der Elektronik geht der Trend zu höheren Leistungen und Leistungsdichten auch im Jahr…