Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

ON Semiconductor

Leistungs-MOSFETs in kleinen Gehäusen

Sechs neue AEC-Q101-qualifizierte Logikpegel-Leistungs-MOSFETs im kleinen Flatlead-Gehäuse bieten hohe Nennströme bei geringem Durchlasswiderstand und erfüllen die Anforderungen im Automotive-Bereich.

International Rectifier

Auto-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

Die neuen MOSFETs von International Rectifier, die in verschiedenen Ausführungen für…

Ersatz von Silizum-IGBTs

Cree: Erster 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFET

Cree, bislang als High-Brightness-LED-Pionier und Anbieter von Siliziumkarbid-Wafern und…

Expansion

CT-Concept eröffnet Vertriebsbüro in China

Um die Präsenz in im chinesischen Markt auszuweiten, hat CT-Concept Technologie in…

Power-MOSFET

Renesas präsentiert 600-V-Super-Junction-MOSFET

Mit dem »RJK60S5DPK« hat Renesas Electronics sein erstes Produkt aus einer Serie von…

EBV Elektronik bringt den ersten EBVchip auf den…

»Genesis ist erst der Anfang einer neuen Chip-Welt«

Mit dem IGBT-Modul »Genesis« läutet EBV die Geburtsstunde seiner EBVchips ein: Der…

PWM-Controller plus MOSFET

GaN-Leistungshalbleiter verfügbar

International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…

DC/DC-Regler-IC

Bis zu 4 A für digitale Schaltkreise

Mit dem »AOZ1110« aus der »EZBuck«-Serie von AOS lassen sich DSPs, FPGAs und…

Wafer aus Galliumnitrid

Soitec und Sumitomo Electric machen GaN günstig

Ein großes Problem bei GaN-Substraten sind die Kosten. Durch ein neues Verfahren möchten…

Für regenerative Energieerzeugung und…

BMBF steckt 2,8 Mio. Euro in GaN

Das BMBF hat knapp 2,8 Mio. Euro über einen Zeitraum von drei Jahren für das…