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SiC-Vertical-JFET

Vertikale Kanäle für mehr Leistung

14. Dezember 2011, 10:49 Uhr | Frank Riemenschneider

SemiSouth hat zwei Sperrschicht-Transistoren auf Basis von Siliziumkarbid herausgebracht.

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Bei den Sperrschicht-Transistoren SJEP120R063 mit einer Sperrspannung von 1200 V und einem RDS(on) von 63 mΩ sowie den SJEP120R050 mit einem RDS(on) von 50 mΩ sind die Kanäle der JFETs vertikal ausgerichtet - daher die Bezeichnung Vertical Junction Field Effect Transistor (V-JFET). Die einzelnen vertikalen Kanäle kann man sich als einzelne Feldeffekt-Transistoren vorstellen.

In der n-dotierten Schicht werden die Ströme der vielen JFETs gesammelt und zur Drain weitergeleitet. In diesem Design können sowohl „Normally-off“- als auch „Normally-on“-JFETs realisiert werden. SemiSouth hat bereits mehrere dieser V-JFETs auf dem Markt. Die Bausteine arbeiten im Temperaturbereich von -55 bis +175.