Infineon Technologies
100 Prozent bleifreier Automotive-MOSFET
Bei den Leistungs-MOSFETs der OptiMOS-T2-Serie von Infineon Technologies erfolgt die Verbindung zwischen Die und Gehäuse per Diffusionslöten. Das Ergebnis sind automotive-qualifzierte Bausteine, die zu 100 Prozent bleifrei sind.
Damit erfüllt Infineon nicht nur die derzeit geltenden RoHS-Vorgaben, sondern auch die möglicherweise ab 2014 geltenden RoHS-Richtlinien des ELV-Gremiums (End of Life Vehicles).
Das beim Die-Attach verwendete Diffusionslöten stellt besondere Anforderungen an die Gehäusegeometrie, die Dicke der Anschluss-Pads und die Chipgröße. Deshalb wird es derzeit nur für drei Gehäusetypen angewendet: TO-220, TO-262 und TO-263. Diffusionslöten verbessert das elektrische und thermische Verhalten und die Qualität von MOSFETs. Es vereinfacht außerdem deren Fertigung. Dabei ist die Technologie sehr umweltfreundlich, da weder Blei noch andere toxische Materialien verwendet werden. In Kombination mit der Dünn-Wafer-Technologie sorgt sie für deutlich geringere RDS(on)-Werte.
Der neue OptiMOS-T2-40-V-Transistor IPB160N04S4-02D hat einen RDS(on) von nur 2,0 mΩ und einen RthJC von 0,9 K/W. Der Durchlasswiderstand ist damit um etwa 20 Prozent geringer als bei vergleichbaren Bausteinen.
Bereits verfügbar sind der IPB160N04S4-02D (160 A, TO-263-Gehäuse), der IPB100N04S4-02D (100 A, TO-263), der IPP100N04S4-03D (100 A, TO-220) und der IPI100N04S4-03D (100 A, TO-262).
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