Produkt

SiC-MOSFETs, -JFETs, -BJTs und -Dioden bieten ein…

Die Siliziumkarbid-Technologie erreicht ihren kritischen Reifegrad

Leistungshalbleiter-Lösungen auf SiC-Basis bestachen in der Vergangenheit zwar durch ihre Leistungsdichte und Effizienz, unter wirtschaftlichen Gesichtspunkten war ihr Einsatz jedoch nur in wenigen Applikationen gerechtfertigt.

Die Siliziumkarbid-Technologie erreicht ihren…

SiC-Leistungshalbleiter bieten ein einzigartiges Eigenschaftenspektrum

Leistungshalbleiter-Lösungen auf SiC-Basis bestachen in der Vergangenheit zwar durch ihre…

Interview

GaN wird ab 2013 zum Umsatz von International Rectifier beitragen

Oleg Khaykin, President und CEO von International Rectifier, sieht sein Unternehmen…

Low-Dropout-Regler

Negative Spannungen erzeugen

Eine symmetrische Stromversorgung verarbeitet Wechselspannungssignale ohne DC-Offset.…

SiC-Transistoren

Die erste Generation

Auf Grund der überlegenen physikalischen Eigenschaften von SiC kann nun neben…

NXP Semiconductors

Trench 6 MOSFETs bestehen erweiterte Lebensdauerprüfungen

NXP Semiconductors präsentiert eine neue Familie der Automotive-Leistungs-MOSFETs auf…

Mitsubishi Electric Europe

Einsatz von 6-in-1 IGBT-Modulen verbessert Betriebsverhalten von Antrieben

Mitsubishi Electrics 6-in-1 IGBT-Module, die mit einem neuen Chipset sowie neuer…

Infineon

MOSFET-Generation für höhere Leistungsdichte

Höhere Leistungen und Leistungsdichten, Miniaturisierung oder höhere Ausgangsströme bei…

Fairchild Semiconductor

PowerTrench p-Kanal MOSFETs

Die 1,5-V-PowerTrench-P-Kanal MOSFETs FDZ661PZ und FDZ663P von Fairchild Semiconductor…

Messegeschehen

PCIM Europe 2012 im Zeichen von Nachhaltigkeit und Energieeffizienz

Mit einem Besucherplus von 3 Prozent im Vergleich zu 2011 endete die PCIM Europe 2012:…