Produkt

Diodes Inc.

Gleichrichterdioden erhöhen die Zuverlässigkeit

Diodes Incorporated hat die ersten Bausteine einer Familie von für Automobilanwendungen entwickelten SBR-Bauelementen (Super Barrier Rectifier) angekündigt, die eine erweiterten sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area; SOA) bieten.

International Rectifier

MOSFETs mit hoher Leistungsdichte für DC/DC-Wandler

International Rectifier hat den DirectFET2-Leistungs-MOSFET-Chip-Satz vorgestellt, der…

HF-Schalter

Präzise, sehr schnell und linear bis 6 GHz

Für Breitbandanwendungen aller Art, z.B. Mess- und Testsysteme, sowie für die…

Infineon Technologies: Über 3,5 Mrd.…

Erster 650-Volt-MOSFET mit integrierter Fast-Body-Diode

Mit über 3,5 Mrd. verkauften CoolMOS-Hochvolt-MOSFETs ist Infineon Technologies der…

Strategische Allianz mit Fuji Electric

Endlich: Leistungshalbleiter von Freescale Semiconductor

Auch wenn Freescale Semiconductor einer der größten Halbleiterhersteller in der…

90 Prozent Wirkungsgrad bei 15 A

TI: Halbbrücke auf 3 x 3 mm Grundfläche

Die neue MOSFET-Halbbrücke auf Basis der NexFET-Power-Block-Technik von Texas Instruments…

Smart-Metering

Wireless-M-Bus, Powerline und der MSP430 im Zusammenspiel

Die Daten die beim Smart-Metering anfallen müssen auch irgendwie und möglichst…

Leistungshalbleiter

Cree: 1200-V-Schottky-Diode aus SiC im D-Pak-Gehäuse

Für 5 A bei einer Sperrspannung von 1200 V spezifiziert ist die Schottky-Diode »C2D05120E«…

40 Prozent weniger Montagefläche

MSC: MOSFET mit 30 pA Leckstrom

Eine Ausgangskapazität von 0,75 pF und ein Leckstrom von lediglich 30 pA zeichnen den…

Keine Entspannung der Lieferkette im…

Rennen zwischen SiC-MOSFET und SiC-JFET weiter offen

Book-to-Bill-Raten von über 1 sprechen eine deutliche Sprache: Mit einer Entspannung der…