Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Deckel unnötig

Montage von Power-Modulen

In letzter Zeit haben immer mehr Power-Modul-Hersteller Produkte mit einer Ein-Schritt-Montagetechnik vorgestellt, um den Qualitätsanforderungen gerecht zu werden, die an das Endprodukt gestellt werden. Einige dieser Firmen bieten Module mit einem…

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© Infineon Technologies

Thermischer Herausforderung begegnen

Neue Power-MOSFET-Generation

Bei neueren Halbleitertechnologien wie dem Dünnen der Wafer bei Leistungs-MOSFETs ist…

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© STMicroelectronics

STMicroelectronics

900- und 950-V-SuperMESH-MOSFETs

STMicroelectronics bringt mit den Bausteinen STx20N95K5 und STx6N95K5 die ersten…

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© NXP Semiconductors

Automotive-qualifizierte Dual-Power-SO8-MOSFETs

LFPAK56D deutlich kleiner als entsprechende DPAK-Varianten

Die LFPAK56D-Familie von NXP Semiconductors sind leistungsfähige Dual-Power-SO8-MOSFETs,…

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Leistungselektronik

Neue MOSFETs und Schottky-Dioden für die drahtlose Ladetechnik

Toshiba Electronics Europe (TEE) erweitert sein Angebot um…

© International Rectifier

Leistungselektronik

Leistungs-MOSFETS von IR optimieren Piezo-Einspritzsysteme

International Rectifier stellt mit AUIRFR4292 und AUIRFS6535 Automotive-qualifizierte…

© International Rectifier

Standardisierte Subsystem-Bausteine optimieren…

Leistungselektronikkonzept für Hybrid-Elektrofahrzeuge

Immer mehr Automobilhersteller ergänzen ihr Angebot um Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) und…

© International Rectifier

Leistungshalbleiter

600-V-Trench-IGBTs von IR sorgen für hohe Leistungsdichte in (H)EVs

International Rectifier hat 600-V-IGBTs in den Markt eingeführt, die sich für…

Interview mit Dr. Henning Hausenstein von…

GaN-Bausteine für Automotive - kein Ding der Unmöglichkeit

Hybrid-Elektrofahrzeuge brauchen leistungsstarke Leistungshalbleiter. In der Regel sind…

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Leistungs-MOSFETs

Robuste Leistungsbausteine von IR im TO-220-Fullpak-Gehäuse

International Rectifier hat Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die in einem robusten TO-220…