Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Infineon

MOSFET-Generation für höhere Leistungsdichte

Höhere Leistungen und Leistungsdichten, Miniaturisierung oder höhere Ausgangsströme bei unverändertem Bauvolumen – alles Punkte auf der Wunschliste der Entwickler. Und die neuesten MOSFET-Generationen von Infineon mit 40-V- bzw. 60-V-Sperrspannung…

Fairchild Semiconductor

PowerTrench p-Kanal MOSFETs

Die 1,5-V-PowerTrench-P-Kanal MOSFETs FDZ661PZ und FDZ663P von Fairchild Semiconductor…

Messegeschehen

PCIM Europe 2012 im Zeichen von Nachhaltigkeit und Energieeffizienz

Mit einem Besucherplus von 3 Prozent im Vergleich zu 2011 endete die PCIM Europe 2012:…

Leistungselektronik:

Taiwan Semiconductor optimiert SMD-Gleichrichterdioden

Taiwan Semiconductor Europe hat mit der GPAS100X-Familie effiziente…

Leistungshalbleiter

IR mit schnell schaltenden 600-V-HF-IGBTs für Stromversorgungen im Auto

Mit seiner 600-V-IGBT-Plattform COOLiRIGBT hat International Rectifier eine schnell…

Hochvolt-IC

Mitsubishi Electric mit kompaktem 600-V-IC für Elektrofahrzeuge

Mit dem M81729JFP hat Mitsubishi Electric ein 600-V-HVIC auf den Markt gebracht, das für…

Leistungselektronik

Infineon und Fuji mit Vereinbarung bei HybridPACK-2-Leistungsmodulen

Fuji Electric und Infineon Technologies verbreitern mit ihrer Vereinbarung die Bezugsbasis…

Neues Ansteuerkonzept für IGBT-Module

Ein Gate-Treiber für alle Fälle

IGBTs sind seit etwa 30 Jahren kommerziell verfügbar. Sie haben inzwischen mehrere…

Leistungs-MOSFETs

Trench ist nicht immer besser

Viele Ingenieure nehmen an, die Leistungsverluste in einem Leistungs-MOSFET seien eine…

Optimierung von Wechselrichterdesigns

Effizientere Solarumrichter

Die Neutral-Point-Clamp-Wechselrichtertopologie bietet eine Alternative zu den derzeit…