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NXP Semiconductors

Trench 6 MOSFETs bestehen erweiterte Lebensdauerprüfungen

24. Mai 2012, 11:03 Uhr | Iris Stroh

Trench 6 MOSFETs bestehen erweiterte Lebensdauerprüfungen.

NXP Semiconductors präsentiert eine neue Familie der Automotive-Leistungs-MOSFETs auf Basis der Trench-6-Technologie.

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Die Bauelemente zeichnen sich durch einen sehr niedrigen RDS(on), ein gutes Schaltverhalten sowie eine gute Qualität und Zuverlässigkeit aus. Alle Trench 6 MOSFETs sind vollständig gemäß AEC-Q101 qualifiziert und haben die erweiterte Lebensdauerprüfungen über mehr als 1.600 Stunden bei 175 ˚C bestanden (deutlich mehr als von Q101 gefordert). Darüber hinaus zeichnen sich die Leistungs-MOSFETs durch extrem niedrige PPM-Werte aus.

Die ersten Produkte der neuen Automotive-MOSFET-Familie von NXP werden im D²PAK-Gehäuse mit Nennspannungen von 30, 40, 60, 80 und 100 V geliefert, wobei alle Versionen gute RDS(on)-Werte aufweisen. Zusätzliche Trench-6-Bausteine wird es in weiteren Automotive-qualifizierten Gehäusen geben, so zum Beispiel im Power-SO8-Gehäuse LFPAK56. Dies geschieht im Rahmen einer breit angelegten Erweiterung des Portfolios, mit dem Ziel dem Anwender eine absolute Flexibilität zu bieten. Diese Produktfamilie wird buchstäblich die Anforderungen aller Automotive-Anwendungsbereiche erfüllen: vom einfachen Lampentreiber bis zum anspruchsvollen Lastregler im Antriebsstrang und in Body- und Chassis-Systemen.

Eine weitere Verbesserung der Trench-6-Reihe ist die Verbesserung der Schalteigenschaften gegenüber früheren TrenchMOS-Generationen. Diese ermöglicht sehr niedrige QGD-Werte bei gegebenem RDS(on) und eignet sich damit bestens für den Einsatz in DC/DC-Wandlern im Auto.