Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

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Standardisierte Subsystem-Bausteine optimieren…

Leistungselektronikkonzept für Hybrid-Elektrofahrzeuge

Immer mehr Automobilhersteller ergänzen ihr Angebot um Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) und Elektrofahrzeuge (EV), wie sich nicht nur auf einschlägigen Fachmessen erkennen lässt. Infolgedessen schreitet auch die Elektrifizierung des Antriebsstrangs…

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Leistungshalbleiter

600-V-Trench-IGBTs von IR sorgen für hohe Leistungsdichte in (H)EVs

International Rectifier hat 600-V-IGBTs in den Markt eingeführt, die sich für…

Interview mit Dr. Henning Hausenstein von…

GaN-Bausteine für Automotive - kein Ding der Unmöglichkeit

Hybrid-Elektrofahrzeuge brauchen leistungsstarke Leistungshalbleiter. In der Regel sind…

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Leistungs-MOSFETs

Robuste Leistungsbausteine von IR im TO-220-Fullpak-Gehäuse

International Rectifier hat Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die in einem robusten TO-220…

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SiC-MOSFETs, -JFETs, -BJTs und -Dioden bieten ein…

Die Siliziumkarbid-Technologie erreicht ihren kritischen Reifegrad

Leistungshalbleiter-Lösungen auf SiC-Basis bestachen in der Vergangenheit zwar durch ihre…

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Die Siliziumkarbid-Technologie erreicht ihren…

SiC-Leistungshalbleiter bieten ein einzigartiges Eigenschaftenspektrum

Leistungshalbleiter-Lösungen auf SiC-Basis bestachen in der Vergangenheit zwar durch ihre…

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Interview

GaN wird ab 2013 zum Umsatz von International Rectifier beitragen

Oleg Khaykin, President und CEO von International Rectifier, sieht sein Unternehmen…

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Low-Dropout-Regler

Negative Spannungen erzeugen

Eine symmetrische Stromversorgung verarbeitet Wechselspannungssignale ohne DC-Offset.…

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SiC-Transistoren

Die erste Generation

Auf Grund der überlegenen physikalischen Eigenschaften von SiC kann nun neben…

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NXP Semiconductors

Trench 6 MOSFETs bestehen erweiterte Lebensdauerprüfungen

NXP Semiconductors präsentiert eine neue Familie der Automotive-Leistungs-MOSFETs auf…

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