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STMicroelectronics

900- und 950-V-SuperMESH-MOSFETs

4. Oktober 2012, 9:52 Uhr | Engelbert Hopf

900- und 950-V-SuperMESH-MOSFETs von STMicroelectronics

STMicroelectronics bringt mit den Bausteinen STx20N95K5 und STx6N95K5 die ersten Superjunction-MOSFETs der Industrie mit Spannungen bis 950 V auf den Markt.

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Ergänzt werden diese durch 900-V-Versionen mit klassenbester Energieeffizienz sowie die weltweit einzigen 850-V-Produkte, die im sehr flachen und platzsparenden Gehäuse des Typs PowerFlat 8x8 HV lieferbar sind. Die 850-V-Version STL23N85K5 im oberflächenmontierbaren Hochspannungs-Gehäuse PowerFlat 8x8 HV belegt eine Fläche von 64 mm2 und ist damit um 56 Prozent platzsparender als das Industriestandard-Gehäuse D2Pak.

Mit 1 mm Höhe im eingebauten Zustand ist es zudem um 77 Prozent flacher als das D2Pak-Gehäuse. Im Fall des 900-V-Bausteins STP21N90K5 ist die Figure of Merit (FOM), nach Angaben des Herstellers, um 62,5 Prozent besser, als beim einzigen Alternativbaustein am Markt. ST agiert in diesem Fall als einzige Zweitlieferquelle von Superjunction-Bausteinen für 900 V. Je nach Nennstrom, Nennspannung und Gehäuse liegen die Nettostückpreise der SuperMESH 5 Bausteine bei Abnahmemengen von 1000 MOSFETs zwischen 3,50 und 10 Dollar.