Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Anvil Semiconductors

Siliziumkarbid zum Preis von Silizium

Anvil Semiconductors, ein Spin-out der School of Engineering der Universität Warwick hat einen Weg gefunden, Siliziumkarbid-Leistungsschalter in hohen Stückzahlen zu produzieren – zu Kosten, die denen von Siliziumbausteinen nahekommen. Dafür hat es…

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LEDs sind die Markttreiber

Erfolg von GaN steht und fällt mit dem Preis

Zwischen diesem Jahr und 2020 könnte sich der Markt für GaN-Substrate laut Yole…

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IGBT-Module für Motorumrichter

Auf die Verpackung kommt‘s an

Bei Hybrid- und Elektrofahrzeugen müssen kostengünstige Umrichtermodule sehr…

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© Infineon Technologies

Lebensdauer von IGBTs

Messung von transienten thermischen Widerständen

Transiente Wärmewiderstände, auch Zth-Kurven genannt, helfen, den transienten…

© Vishay Electronic

Leistungshalbleiter-Bausteine

Verringern die Verluste in Frequenzumrichtern

Vishay erweitert sein breites Produktangebot u.a. mit einer neuen Serie von Field-Stop und…

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© Showa Denko

Showa Denko

6 Zoll großer SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungshalbleiter

Showa Denko hat angekündigt, noch im Oktober dieses Jahres damit zu beginnen, sechs Zoll…

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© Amantys

IGBT-Treiber

Für Strombelastungen bis zu 3.600 A

Der Mannheimer Distributor GvA Leistungselektronik GmbH erweitert sein Angebot mit dem…

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Si vs. SiC

Wie leistungsfähig sind SiC-MOSFETs?

Leistungswandler mit Siliziumkarbid-Bauelementen versprechen im Vergleich zu…

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Photodetektor

Der schnellste seiner Klasse

Der Photodetektor BPDV3120R erreicht eine 3-dB-Bandbreite von 70 GHz.Mit der hohen…

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© Infineon

Neue IGBT- und Dioden-Generation

Höhere Leistungsdichte bei Umrichtern

In der Leistungselektronik steigt die Leistungsdichte stetig. Ziel ist es, die Kosten zu…

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