Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Yole Développement

GaN-on-Si verändert die Leistungselektronik, aber auch die LEDs?

Im Jahr 2020 könnten bis zu 7 Prozent des Marktes für Leistungshalbleiter mit GaN auf Silizium abgedeckt werden. Dies ist das Ergebnis einer Marktstudie von Yole Développement. Bei LEDs dagegen wird GaN auf Saphir in der nächsten Zeit die wichtigste…

TI LMR22007

Wirkungsgradstarker Abwärtsregler im Nano-Format

Der LMR22007 ist das neue Mitglied der »SIMPLE SWITCHER FAMILY« von Texas Instruments. Der…

E2COGaN

Projekt erforscht energieeffiziente Leistungselektronik

Partner aus Industrie und Forschung schaffen im Projekt »Energieeffiziente Umrichter auf…

Toshiba

Toshibas Kleinste fürs Power-Management

Obwohl sie im nur 1,5 x 1 mm großen Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WCSP6C) untergebracht…

STMicroelectronics

SiC-MOSFET arbeitet bis +200 °C

Einen Leistungs-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC), der sich für Betriebstemperaturen bis…

PCIM 2014

Power in drei Hallen

Die PCIM 2014 findet erstmals in drei Hallen auf rund 20.000 m² statt. Vom 20. bis 22. Mai…

Infineon

Halbleiter als Basis für Innovationen und Fortschritt

Halbleiter tragen wesentlich dazu bei, dass die Sicherheit von Autos weiter steigen und…

NXP Semiconductors:

Bipolartransistoren im LFPAK56-SMD-Kunststoffgehäuse für automobile Anwendungen

NXP Semiconductors hat Bipolartransistoren im flachen LFPAK56-SMD-Kunststoffgehäuse…

Entwicklung von Stromversorgungen

In Zukunft wohl eher GaN- als SiC-MOSFETs

Kompaktere Form, höhere Energieeffizienz und längere Lebensdauer, das sind die drei…

Leistungshalbleiter

SiC ist der Star von heute, GaN das Versprechen an die Zukunft

Leistungshalbleiter sind das Herzstück einer effizienten Energienutzung. Neue…