Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Siliziumkarbid - Teil 3

Zuverlässigkeit und praktische Erfahrungen mit SiC

Siliziumkarbid ist ein noch relativ neues Material, wenn es um Leistungshalbleiter wie Transistoren geht. Zuverlässigkeit muss erst bewiesen, praktische Erfahrungen erst gesammelt werden. Tests helfen hier.

Siliziumkarbid - Teil 2

Eigenschaften und Strukturen von SiC-Komponenten

Während die allgemeinen Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC) im Mittelpunkt des ersten…

Siliziumkarbid – Teil 1

SiC - Das Material und seine Eigenschaften

Im Bereich der Halbleiter gab es viele Neuerungen, auch im Hinblick auf Materialien:…

Fraunhofer COMEDD

Organische Photodioden als Alternative zu Silizium-Detektoren

Organische Photodioden stellen eine vielversprechende Alternative zu siliziumbasierten…

Kommentar

GaN wird langsam erwachsen

Die Einführung jeder neuen Technologie hat so seine Tücken. Das ist auch bei Galliumnitrid…

MOSFET-Treiber

Ganzheitliche Lösung für höheren Systemwirkungsgrad

Infineon hat im Server-Bereich den Fokus auf die MOSFET-Technologie erweitert und setzt…

Selbstsperrender GaN-Transistor

Echte Alternative zum MOSFET

Bislang vorgestellte GaN-Transistoren hatten einen großen Nachteil: Im Normalzustand sind…

Online-Tool ezIGBT

IGBTs verschiedener Hersteller online vergleichen

Datenblätter erzählen Entwicklern nicht, was IGBTs bei den spezifischen Bedingungen der…

International Rectifier

1.400-V-IGBT für Induktionserwärmung

Einen robusten und schnellen 1.400-V-IGBT bringt International Rectifier auf den Markt.…

P-Kanal-MOSFET

Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im SOT363-Gehäuse

Hy-Line hat einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOFET im SOT363-Gehäuse von APEC im…