Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Mouser

Leistungs-MOSFETs für raue Bedingungen

Mouser Electronics führt jetzt die für Automobilanwendungen nach AEC-Q101 zugelassenen 40-Volt-n-Kanal-MOSFETs COOLiRFET von International Rectifier im Sortiment. Die robusten Bauteile besitzen einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe…

Power bei Glyn

»Renaissance der Leistungselektronik«

Auch wenn die Leistungselektronik momentan »en vogue« ist: Um sich als Distributor im Feld…

Crees zweite Generation von SiC-MOSFETs reduziert…

Ist Siliziumkarbid wirklich noch teurer als Silizium?

Der weit verbreiteten Aussage, dass SiC-Leistungsbauelemente zwar wesentlich effizienter…

Arkansas Power Electronics

Elektroantriebe mit SiC und GaN entwickeln

Das US-Energieministerium hat einem Konsortium unter der Führung von Arkansas Power…

Für Stromversorgung und Leistungswandlung

CoolMOS 7 eröffnet neue Effizienzbereiche

Über die Verfeinerung der Transistor-Strukturen in Kombination mit Verbesserungen des…

STMicroelectronics

Tandem-Dioden als Alternative zu Siliziumkarbid-Bausteinen

Ihre zweite Generation an Tandem-Dioden hat STMicroelectronics vorgestellt. Die…

SiC-Halbleiter von Cree, SiC-Module von Powersem

Mit SiC-Power-Modulen Leistung hocheffizient wandeln

Die Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter wie SiC und GaN haben aufgrund ihrer physikalischen…

Die Kunst des Scheiterns

Zur Schönheit defekter Schaltkreise

Die IEEE schreibt jährlich einen Fotowettbewerb aus, der die schönsten Fotos fehlerhafter…

Forschungserfolg

Neue Hoffnung für Graphen-Transistoren

Graphen wird die Technik-Welt revolutionieren, hieß es vor einigen Jahren. Physiker der…

Infineon Technologies

Neues IGBT-Modul im Bereich 4,5 kV

Mit einem 4,5-kV-Typ hat Infineon ihre IGBT-Modulfamilie »IHV« komplettiert. Das…