Toshiba
Toshibas Kleinste fürs Power-Management
17. März 2014, 10:40 Uhr |
Engelbert Hopf
Obwohl sie im nur 1,5 x 1 mm großen Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WCSP6C) untergebracht sind, können der n-Kanal-MOSFET SSM6K781G und der p-Kanal-MOSFET SSM6J771G von Toshiba Electronics Verlustleistungen bis 1,25 W tragen.
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Die kompakten MOSFETs eignen sich damit als Leistungsschalter in Ladeschaltkreisen neuerster Tablets, Smartphones und tragbarer Geräte, in denen die Batterieladezeiten durch höhere Ladeströme minimiert werden.
Der SSM6K781G bietet einen maximalen DC-Nennstrom von 7 A, der SSM6J771G unterstützt bis zu -5 A und eignet sich aufgrund seiner maximalen Gate-Source-Nennspannung von UGSS = +-12 V vor allem für das Laden von 2-Zellen-Lithium-Ionen-Akkus.
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